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          束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

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          新品亮相|SPV/TPV高分辨時間分辨表面光電壓譜儀

          閱讀:820      發(fā)布時間:2023-6-13
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          用于快速準(zhǔn)確的半導(dǎo)體質(zhì)量控制和分析的新型生產(chǎn)車間工具

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          分析半導(dǎo)體從晶圓到終端器件的狀態(tài)被認(rèn)為是高難度的工作,很少有分析設(shè)備可以直接用作生產(chǎn)中材料質(zhì)量好壞的“裁決者"。--表面光電壓技術(shù)

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          新品亮相

          德國Freiberg Instruments全新的高分辨率表面光電壓光譜(HR-SPS)是一個真正的生產(chǎn)型設(shè)備,因?yàn)樗诓挥绊懝に嚠a(chǎn)出速度的情況下完成工作。HR-SPS檢查生產(chǎn)中使用的材料的關(guān)鍵良率參數(shù)-無論是硅、碳化硅還是其他半導(dǎo)體或光活性材料。

          產(chǎn)品介紹

          HR-SPS設(shè)備測量材料在一個或多個光源激發(fā)時的時間分辨表面光電壓響應(yīng)。根據(jù)材料的電子特性和材料中可能與良率損失相關(guān)的已知缺陷來選擇光源。

          例如,在硅單晶晶片中,可能存在許多缺陷,這些缺陷可能導(dǎo)致器件加工過程中的產(chǎn)量損失。硅單晶晶片可能含有高濃度的氮,這些氮來自于氣泡生長周期或不同的器件加工步驟。氮原子可以在完善的硅晶體中形成取代對,該取代對會嚴(yán)重影響MOS柵極結(jié)構(gòu)的性能,因?yàn)樵撊〈诠杵行纬刹焕碾娮討B(tài)。

          HR-SPS設(shè)備不但可以測量這些缺陷的存在,還可以測量它們的近似密度。通過這種方式,晶圓批內(nèi)和晶圓批之間的變化可以通過設(shè)備/工具到主機(jī)接口協(xié)議進(jìn)行監(jiān)控和報告,并用于SPC目的。

          特點(diǎn)

          HR-SPS是一款非常通用的設(shè)備,可以通過多種方式進(jìn)行配置。

          • 它幾乎可以用于任何光活性材料,目前僅有的限制是帶隙能量,限制在5.8 eV。

          • 基本測量是納秒級時間分辨的表面光電壓信號,具有良好的信噪比和5-6數(shù)量級尺度。

          • 一次測量大約需要15-30秒,包括信號分析回路。

          • 輸出可以是任何東西,從一個好的/不好的標(biāo)準(zhǔn)到一個完整的測試材料狀態(tài)的測量與此同時,當(dāng)然可以對符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的自動物料處理系統(tǒng)(AMHS)進(jìn)行任何機(jī)械調(diào)整。

          應(yīng)用

          表面光電壓光譜-功率半導(dǎo)體研究4H-SiC的缺陷




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          表面光電壓光譜-光化學(xué)/光催化水裂解研究3C-和4H-SiC的缺陷和電荷動力學(xué)



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          氧化鎵的表征



          參考文獻(xiàn):

          [1] Th. Dittrich, S. Fengler, N. Nickel, “Surface photovoltage spectroscopy over wide time domains for semiconductors with ultrawide bandgap: example of gallium oxide", Phys. Stat. Sol. A 11 (2021) 2100176.

          寬禁帶半導(dǎo)體體極化現(xiàn)象的非接觸探測

          金剛石中的電子躍遷

          光催化材料BiVO4的研究

          光催化材料(TiO2)的研究與監(jiān)測

          SiC、GaN和AlGaN的非接觸表征

          更多……



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