雙電測(cè)四探針測(cè)試儀  四探針測(cè)量?jī)x
型號(hào)：SN/RTS-5

北京四探針測(cè)量?jī)x儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀(guān)、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠(chǎng)、半導(dǎo)體器件廠(chǎng)、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

北京四探針測(cè)量?jī)x采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱(chēng)雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線(xiàn)四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所生產(chǎn)的儀器是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

RTS-5型雙電測(cè)四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶(hù)程序，通過(guò)此測(cè)試程序輔助使用戶(hù)簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。

測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀(guān)地記錄、顯示出來(lái)。用戶(hù)可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測(cè)量范圍 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴(kuò)展)；

方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴(kuò)展)；

電導(dǎo)率：0.005～1000 s/cm；

電阻：0.001～200Ω.cm；

可測(cè)晶片厚度 ≤3mm

可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；

200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；

400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　

分辨力：10μV；

輸入阻抗：>1000MΩ；

精度：±0.1% ；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；

針間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機(jī)械游移率：≤0.3%；

探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；

探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±4%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤4%

計(jì)算機(jī)通訊接口 并口

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；

相對(duì)濕度：≤65%；

無(wú)高頻干擾；

無(wú)強(qiáng)光直射。