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供貨周期	現(xiàn)貨

簡(jiǎn)介：摻鈮鈦酸鍶（Nb:SiTiO₃）單晶不僅與鈦酸鍶有相似的結(jié)構(gòu)，還有電導(dǎo)性。它的電阻率隨著摻鈮濃度（0.1～0.001wt%）在0.1～0.001W-cm之間變化，傳導(dǎo)的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。

性能及參數(shù)
生長(zhǎng)方法	熔焰法
晶體結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)	a =3.905 Å
級(jí)別	A	B	C	D
摻鈮濃度（wt%）	1.0	0.7	0.5	0.1
電阻率ohm-cm	0.0035	0.0070	0.05	0.08
遷移率cm2/vs	9.0	8.5	8.5	6.5
顏色及外觀	黑色
化學(xué)穩(wěn)定性	穩(wěn)定性好不溶于水
莫氏硬度	6mohs
正切損耗	～5×10^-4 @300k），～3×10^-4 @77k）
晶向	<100>、<110>、<111>
晶面定向精度	±0.5°
邊緣定向精度	±1°
斜切晶片	可按照客戶(hù)需求，定制特殊方向
尺寸（可按照客戶(hù)需求，定制特殊尺寸）	10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm等
	/
拋光	單面拋光、雙面拋光
表面粗糙度	＜5 Å
包裝	1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝

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CPI將工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)要求應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)設(shè)備，設(shè)備性能更加穩(wěn)定可靠，工藝重復(fù)性強(qiáng)。