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          應(yīng)用案例 | 電鏡樣品制備之IC芯片

          時間:2024/4/7閱讀:155
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          本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺制備IC芯片。

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          1號樣品
          IC芯片大概長20 mm,厚2 mm,樹脂包埋后直徑為32 mm,高度11 mm。樣品已經(jīng)用機(jī)械的方式拋光好,但是表面拋光得并不是很理想。
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          01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺制備

          不同于離子束切割方式,離子束拋光前需要對樣品進(jìn)行機(jī)械拋光,因為兩種方式材料去除深度是不一樣的,拋光要比切割去除深度淺。為了說明拋光平臺的概念,沒有對這個樣品進(jìn)行額外的機(jī)械拋光。

          02參數(shù)設(shè)置

          旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺:
          電壓為7 kv,角度為12度,工作時間為1個小時。

          03結(jié)果

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          2號樣品
          樣品尺寸為長15 mm,厚3 mm。樣品客戶已經(jīng)做了機(jī)械拋光,但是表面拋光效果很差。(見下圖)

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          01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺制備

          離子束拋光相對于離子束切割方式,材料去除深度要淺,所以要求樣品表面要機(jī)械拋光好才行(最好在50倍的光學(xué)顯微鏡下看不見劃痕)。
          這個樣品我們建議用徠卡精研一體機(jī)TXP做前處理,這樣整排bonding wire都會顯現(xiàn),并且表面的拋光質(zhì)量也會高很多。

          02參數(shù)設(shè)置

          旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺:
          電壓為8 kv,角度為12度,工作時間為1個小時。

          03結(jié)果

          由于之前機(jī)械拋光效果很差,所以需要采用8 kv的電壓拋光一個小時,通常情況是只需要20分鐘。金線(銅線)的去除量要比硅多,所以兩種材質(zhì)已經(jīng)不在同一平面上了(不同的聚焦面)。然而,下圖還是能很好地告訴我們經(jīng)過離子束拋光后表面的制備質(zhì)量得到了明顯的提高。

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          3號樣品
          銅或者金的樣品尺寸為長30 mm,厚10 mm,樹脂包埋直徑為38 mm,高度12 mm。(離子束拋光能接受的最大高度)??蛻粢呀?jīng)采用機(jī)械拋光好,樣品拋光得還行,但是有劃痕。

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          01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺制備

          樣品較大,包埋后直徑為38 mm。需要離子束拋光的面積大小為30 mmX10 mm。

          02參數(shù)設(shè)置

          旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺:
          電壓為6 kv,角度為12度,工作時間為1個小時。

          03結(jié)果

          由于表面拋光效果還行,所以設(shè)置電壓低一些,只需要30分鐘即可。

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          總結(jié)

          以下為客戶提供的樣品表面(左圖)與經(jīng)過離子束拋光后的表面(右圖)對比。

          8 kv處理1個小時


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          6 kv處理30分鐘

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          以上樣品很好地說明了徠卡三離子束切割儀中旋轉(zhuǎn)拋光平臺的概念。即使遇到直徑達(dá)38 mm的樣品的時候,表面能處理的區(qū)域也能達(dá)到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機(jī)械拋光,因此建議在離子束拋光前的機(jī)械拋光盡量做得好一些,在50倍的光鏡下看不見劃痕為宜。




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