加熱模塊：精準(zhǔn)、均勻、安全控溫，溫度精度優(yōu)于0.1K，最高溫度1300℃。通過(guò)精確熱場(chǎng)模擬及芯片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無(wú)漂移加熱過(guò)程，可在加熱升溫過(guò)程中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀測(cè)成像。
電學(xué)（偏壓）模塊：實(shí)現(xiàn)電熱外場(chǎng)耦合反應(yīng)。通過(guò)電極施加電場(chǎng)，對(duì)單個(gè)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行外場(chǎng)控制并進(jìn)行電學(xué)性質(zhì)的測(cè)量。通過(guò)電學(xué)控制器對(duì)樣品施加偏壓，配合電學(xué)系統(tǒng)控制程序用于保證微反應(yīng)系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運(yùn)行的最基本要求，滿足每一臺(tái)系統(tǒng)設(shè)備的微環(huán)境—電流電壓添加及實(shí)時(shí)測(cè)量，以及實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程智能反應(yīng)條件管理控制功能。該控制程序非常適合各種現(xiàn)代電子器件的電流、電壓特性分析和功能測(cè)試：功率半導(dǎo)體材料、功率器件、電化學(xué)、能源生產(chǎn)、高效能源消耗等。溫度高于800℃亦可同時(shí)進(jìn)行加熱和電學(xué)實(shí)驗(yàn)，且保持穩(wěn)定。
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