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　　掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)液體薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電極、電解液及其界面在工況下的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

　　本公司提供的掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)有高安全性：

　　1.市面常見(jiàn)的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約，只能通過(guò)液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無(wú)真實(shí)流量流速控制。

　　2.采用納流控技術(shù)，通過(guò)壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量?jī)H有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。

　　3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于O圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

　　4.采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。