M Plan Apo NIR HR 100×378-864-5

 M Plan Apo NIR HR
M Plan Apo NIR HR 50× 378-863-5 0.65 10.0 4 0.4 0.7 0.48 0.10×0.13 450
M Plan Apo NIR HR 100× 378-864-5 0.70 10.0 2 0.4 0.6 0.24 0.05×0.06 450
上述規(guī)格欄中的分辨力和物鏡單體焦深是根據(jù)基準(zhǔn)波長(zhǎng)(λ＝0.55μm)計(jì)算得出的值。
注)使用的波長(zhǎng)如果在1100nm以上，玻璃色散的變化和折射率等的測(cè)量可能會(huì)出現(xiàn)誤差，略微偏離可見(jiàn)光的聚焦位置

 緊湊、輕巧的相機(jī)觀察顯微鏡
適用于金屬、樹(shù)脂、印刷表面、微小運(yùn)動(dòng)物體等各種觀察對(duì)象。
·適用于使用YAG激光(近紅外、可見(jiàn)、近紫外、紫外)的微細(xì)加工※ ※不保證激光振蕩器配備系統(tǒng)的綜合性能和安全性。
半導(dǎo)體電路的切割、修整、修正、打標(biāo)、薄膜(絕緣膜)的去除和加工、液晶彩色濾光片等的修復(fù)(修正缺陷)等。
·適用于紅外光學(xué)系統(tǒng)※
硅類的內(nèi)部觀察、紅外光譜特征分析等。※另需紅外光源和紅外攝像機(jī)等。
·反射照明光學(xué)系統(tǒng)標(biāo)配帶孔徑光闌遠(yuǎn)心照明
需要均勻照明的圖像處理?？捎糜诔叽鐪y(cè)量、形狀檢查、定位等。
·VMU-LB和VMU-L4B強(qiáng)化了顯微鏡主體的剛性和綜合性能(與以往產(chǎn)品相比)
·除標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外，還可按照需求設(shè)計(jì)制作雙相機(jī)、雙倍率(低倍率

 • 投影屏量角器的數(shù)字顯示和屏幕指標(biāo)線在LED 照明下顯示都易于
讀取。
• 使用5x 投影鏡頭時(shí)，無(wú)需移動(dòng)工件就能獲得100mm 的視野

 與2D 數(shù)據(jù)處理器(選件) QM-Data200
組合使用可提供多種不同的尺寸測(cè)量方法。
• 透射照明用于檢測(cè)工件輪廓，斜向反射照明
用于觀察工件表面

采用水平光學(xué)系統(tǒng)的臺(tái)式投影儀。
• 工作臺(tái)的大載重量為45kg，可對(duì)重
型工件進(jìn)行測(cè)量。
• 測(cè)量范圍廣254mm(X)×152mm(Y))，可
對(duì)大尺寸工件進(jìn)行測(cè)量

 正像是指屏幕上的投影圖像與工作臺(tái)上的測(cè)量物、上下左右
的方向以及移動(dòng)方向*一致的圖像。
另外，像下圖那樣上下左右的方向及移動(dòng)方向相反的圖像叫
做倒像。

 M Plan Apo NIR HR 100×378-864-5