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ICP干法刻蝕是一種常見的微納加工技術(shù),其原理是利用高頻電場(chǎng)將氣體離子化,使其形成等離子體,然后將等離子體引入反應(yīng)室中,利用反應(yīng)室內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)對(duì)材料進(jìn)行腐蝕或沉積。 在ICP干法刻蝕中,高頻電場(chǎng)的作用是將氣體分子電離,形成電子和離子。離子在電場(chǎng)的作用下加速運(yùn)動(dòng),并與反應(yīng)室內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞,進(jìn)而形成等離子體。等離子體具有高溫、高能量的特性,可以對(duì)材料進(jìn)行高效率的加工。 ICP干法刻蝕的特點(diǎn)是能夠?qū)崿F(xiàn)高精度、高速度和高均勻度的刻蝕,且對(duì)材料的損傷較小,常用于微電子器件制造、光學(xué)器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蝕時(shí),應(yīng)選擇合適的氣體、功率和反應(yīng)室溫度等參數(shù),以避免對(duì)材料造成負(fù)面影響。

ICP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案，獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性很好。

ICP等離子刻蝕機(jī)WINETCH產(chǎn)品特點(diǎn)：

● 4/6/8英寸兼容，單片晶圓真空傳輸系統(tǒng)

● 低成本高可靠，適合研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)

● 設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，外形小

● 操作簡(jiǎn)便、便于自動(dòng)控制、適合大面積基片刻蝕

● 優(yōu)異的刻蝕均勻性，刻蝕速率快

●滿足半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)的配方驅(qū)動(dòng)及管理軟件控制系統(tǒng)

● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小

● 斷面輪廓可控性高，刻蝕表面平整光滑

技術(shù)參數(shù)：

晶圓尺寸：4/6/8英寸兼容

適用工藝：等離子體刻蝕

適用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.

適用領(lǐng)域：化合物半導(dǎo)體，MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域