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          深圳市三佛科技有限公司>>20V MOS N/P溝道>> 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN

          20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN

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          更新時間:2021-04-22 16:45:05瀏覽次數(shù):320

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          深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

          詳細(xì)介紹

          深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

           HN2301參數(shù):  -20V -3A SOT-23       P溝道 MOS管/場效應(yīng)管 
          品牌:HN
          型號:HN2301GN
          VDS:  -20V
          IDS: -3A
          封裝:SOT-23
          溝道:  P溝道
          HN2301GN原裝現(xiàn)貨,HN2301GN優(yōu)勢熱銷

          HN2301GN泛運用于電源,充電頭,控制板,計算機,家電,通訊設(shè)備等產(chǎn)品上.

          售后服務(wù):公司免費提供HN2301GN樣品,并提供HN2301GN產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。

          阿里店鋪:阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服。
          HN2301可以替代:CJ2301,AO2301,AP2301GN,PL2301,NCE2301E,AP2301EN,si2301,NCE2301C,AP2301BGN-HF,NCE2301E。

           

           

           場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

           場效應(yīng)管工作原理:就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
          在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

           

           20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN 產(chǎn)品熱銷

           

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