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AEG Thyro-A1A 400-30H1調(diào)功器
COSTECHA17M23SWB MT0
COSTECH A17M23SWB MT0
CRACOSwivel Z 223340
CTCLP252-2R1-1D
CUDERM D100
CUDERM D302
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
AEG Thyro-A1A 400-30H1調(diào)功器
CIRCLE SEAL D532B-1M-55
CIRCLE SEAL D532B-1M-55
CLEVEAND CVT-P-20
CLEVEAND CVT-P-20
Clinical & Derm S100
CNT SM.200.3 min 24V 50Hz
COFI TRK1-20CVD
Collins 6745 0.5 Micron Teflon Hydrophobic Element
CONDOR 253761
Corbetta MEM56ST
COSTECH A17M23SWB MT0
德國THOMAS 776S SEK 197高速脫水機
EEI S.p.A. 912.7觸發(fā)器
CUDERMD500 D-Squame Pressure Instrument壓力棒
CUDERMD100D-Squame Standard Sampling Discs貼片
SIEMENS3EB2 003-7D避雷器
AEG1S 400-100 HRL1 升級款1S 400-100 HRLP3 400V 100A可控硅調(diào)功器
AEG2A 400-280 HRL1 升級款： 2A 400-280 HFRL3 400V 280A可控硅調(diào)功器
ZF 電磁閥GE5 060 F47/1534161 111 062升級款0017-191 4161.109.201
德國THOMAS 776S SEK 197高速脫水機
SteelmanChassisEAR 06600底盤聽診器
AEG 調(diào)功器1A 230-170 H RLP3
ZF0017-191換擋電磁閥
BD342003鞘液 20L
AEG 1A 400-60 HRL1升級款1A 400-60 HRL3
Asco Numatics 240-240通信擴展模塊
IMOSMT-CD-R20 CPU控制模塊
IMOSMT-2AO AO模擬量輸出模塊
IMOSMT-MD-4AI AI模擬量輸入模塊
IMOSMT-PM04 PM04儲存卡
IMOSMT-PC03 SMT程序下載線
IMOSMT-USB PM04儲存卡讀卡器
BD334224 5L/桶 關機液
TELWIN5500拉拔機
ZF GE5060F47/153升級款0017-191電磁閥
Saia Burgess KOP128J7BAVPN00時間繼電器
PMVF5-MEC-420
schunk1428546 SWO-L-EB9-K ( EB9伺服模塊機器人側9121-EB9-M ATI)
schunk1428551 SWO-L-EB9-A (EB9伺服模塊工具側9121-EB9-T ATI)
AEG 調(diào)功器通訊模塊_Bus module ethernet_Mat:2000000846 A(2000000846)
D-SquameD100
D-SquameD500
D-SquameD501
PFANNENBERG11611801050
PFANNENBERG11710001050
LEGRAND004876
可控硅型號
編輯
按一機部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。
通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述，小結如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由
PNPN四層組成
(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:
電流
⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。
AEG Thyro-A1A 400-30H1調(diào)功器