產(chǎn)品簡介
GHISALBAGHOPC-600B AAV66871
GIEBEL FilTec GmbH VARIOVENT 310-PA
GIVE MISUREMTS H100C 528VL M02/N SC F
GOLdAMMERTR12-K1-A-FE.100-1/TR501.31
詳細(xì)介紹
AEG THYRO-S 1S400-100HRL1調(diào)功器
Funke&Huste SLD4 230VAC
GE 677484 EP101UCR C6
GeDi Technik DWS-1-200-FKM / VA
GEFRAN GFX4-IR-30-0-4-0-E-Z09
GEMU 650 15D1834 411T1 1500
Georg fischer ER52-1 DN10-DN50 199190305 250V 1P65
GF Signet 3-2725-60
GF Signet 3-2726-10
GF Signet 3-2760-11
GHISALBA GHOPC-410B AAV66870
KACOQHLP 40*50AGU01QHLP40-50AGU01密封圈O型密封圈德國原裝
SchneiderK1SF217B6XS鑰匙開關(guān)
ElectroniconE62 F81-802D10 8µFE62.F81-802D10電容
SchneiderK1SF217B6XS鑰匙開關(guān)
AEG3A 400-170 H RLP3
HS-Cooler KK10-BCV-423 L328冷卻器
honeywell 8LS14C限位開關(guān)
STAUFF SFC-5710E濾芯
Clinical&DermD100采樣盤
KPMAqua-Boy TEM I+205+手柄+線+包
KPMAqua-Boy PMII+213+線+包
ZF GE5 060 F47/154升級款0017-192換擋電磁閥
BD334224 5L/桶
BD340345 5L/桶
D-Squame Pressure Instrument 1pcs/包
D-Squame Standard Sampling Disc 1000pcs/包
FLYGTENM-10(13M)浮球液位開關(guān)
TELWINspottr 5500
BD340345 5L清洗液
BD334224 5L關(guān)機(jī)液
BD342003 20L鞘液
ZF GE5 060 F47/152升級款0017-190
ZF0017-192換擋器
Clinical&DermD500
VAL.COCOD.12.0004.0127壓力繼電器Valco 12.0004.0127 K4T.A.O.2.--.MX
BD 641776 BD IntraSure試劑盒 50T
STAUFFSLWC-M60-1-B250NC-01-01-8-T70NC (老款:SLWC-M60-1-B250NC-01-01-1-T70NC)
TELWIN5800
KISTLER9313AA1 力傳感器
KISTLER5073A111 放大器
D-Squame D100 - D-Squame Standard Sampling Discs 22mm 1000pcs/包
prominent506270 水質(zhì)余氯檢測儀試劑(電解液)
MAHLELX 925/S濾芯
ACAMPT2G-SM5.3轉(zhuǎn)速傳感器
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率
當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。
4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。
5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上
AEG THYRO-S 1S400-100HRL1調(diào)功器