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          [供應(yīng)]S系列-數(shù)字源表iv掃描miniled電性能
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          • S系列-數(shù)字源表iv掃描miniled電性能
          貨物所在地:
          湖北武漢市
          產(chǎn)地:
          武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)
          更新時(shí)間:
          2024-11-01 13:11:16
          有效期:
          2024年11月1日 -- 2025年2月1日
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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          數(shù)字源表iv掃描miniled電性能認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯S系列數(shù)字源表優(yōu)點(diǎn),四象限工作,源和負(fù)載,電壓及電流范圍廣,電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V,準(zhǔn)確度為0.1%;5寸觸摸顯示屏圖形化操作,內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測(cè)試;支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

          詳細(xì)介紹


          1. 數(shù)字源表iv掃描miniled電性能概述

            LED(全稱為L(zhǎng)ight-emitting diode)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。和普通的二極管一樣,這些半導(dǎo)體材料會(huì)預(yù)先透過(guò)注入或攙雜等工藝以產(chǎn)生p、n架構(gòu)。LED只能夠往一個(gè)方向?qū)ǎㄍ姡?當(dāng)在兩端加載合適的電壓后,電流可以從p極(陽(yáng)極)流向n極(陰極),而相反方向則不能。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向p、n架構(gòu)。當(dāng)空穴和電子相遇而產(chǎn)生復(fù)合,電子會(huì)跌落到較低的能階,同時(shí)以光子的模式釋放出能量,即發(fā)光。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,目前LED能夠發(fā)出的光已經(jīng)遍及可見(jiàn)光、紅外線及紫外線,光度亦提高到相當(dāng)高的程度,用途覆蓋指示燈,顯示板,照明等。

            源表,SMU(Source Measure Unit)電源/測(cè)量單元,“源"為電壓源和電流源,“表"為測(cè)量表,“源表"即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流,同時(shí)可同步測(cè)量電流值或電壓值的測(cè)量?jī)x表。源表集合電壓源、電流源、電壓表、電流表的功能于一身,廣泛用于各類(lèi)精密器件的測(cè)量。

          2. 常用測(cè)試參數(shù)

            LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電性的測(cè)試,可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流Ir)等參數(shù),以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測(cè)試電流,或者加電流測(cè)試電壓。此外,還可以根據(jù)客戶要求,搭配相應(yīng)的光學(xué)測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試相應(yīng)的光學(xué)性能。

            典型二極管I-V特性曲線                                  

          3. LED光電測(cè)試系統(tǒng)示意圖

          4. Vf正向?qū)妷簻y(cè)試

            正向?qū)妷?,?/span>LED在正常工作電流下測(cè)量的電壓值。當(dāng)加載在LED兩端的工作電壓,低于導(dǎo)通電壓時(shí),通過(guò)LED的電流極小,不發(fā)光。當(dāng)電壓超過(guò)該值后,通過(guò)LED的電流隨電壓迅速增加,而后LED發(fā)光。常用測(cè)試方法為,將LED的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,逐漸增加LED的電流(電流值一般為幾mA),并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓(電壓值范圍在幾V以內(nèi))。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,得到相應(yīng)的Vf值。


            Vr 反向擊穿電壓測(cè)試

            反向擊穿電壓,是所允許加載在LED兩端的最大反向電壓。當(dāng)二極管兩端的反向電壓超過(guò)Vr后,反向電流會(huì)急劇增大,二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?,這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。若長(zhǎng)時(shí)間工作電壓超過(guò)Vr,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。常用測(cè)試方法為,將LED的正極接在低電位端,負(fù)極接在高電位端,逐漸增加LED的電流(電流值一般為幾mA),并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓(電壓值范圍在幾V以內(nèi))。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,得到相應(yīng)的Vr值。由于源表可作為四象限工作的電壓源,因此,在測(cè)試時(shí),無(wú)需將接線端反接。源表內(nèi)部會(huì)自動(dòng)根據(jù)設(shè)定值,切換輸出端的極性。


            Ir漏電流測(cè)試

            漏電流,指LED處于反向偏置狀態(tài)時(shí),流過(guò)二極管的微弱反向電流。此時(shí),LED兩端的電壓低于Vr。常用的測(cè)試方法為,LED的正極接在低電位端,負(fù)極接在高電位端,而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,設(shè)定加載在LED兩端電壓,測(cè)量電流Ir。


          5. 繪制LED I-V特性曲線測(cè)試

          6. 連接

            如下圖所示,選擇合適的夾具,將LED與S型源表進(jìn)行連接

            源表測(cè)試連接示意圖

          7. 測(cè)試步驟

          步驟

          操作方法

          操作界面

          選擇掃描模式

          【主界面】—>【掃描模式】

          設(shè)置掃描參數(shù)

          根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,選擇并設(shè)置相應(yīng)的參數(shù)。比如:【掃描類(lèi)型】,【限值】,【掃描模式】,【掃描點(diǎn)】等

          啟動(dòng)測(cè)試

          點(diǎn)擊【開(kāi)始掃描】,即可啟動(dòng)測(cè)試

          /

          測(cè)試數(shù)據(jù)

          待測(cè)試完畢后,會(huì)自動(dòng)根據(jù)測(cè)試結(jié)果繪制I-V曲線,并顯示在屏幕上。此外,如果選擇保存【開(kāi)始掃描】,也可在插入U(xiǎn)盤(pán)后,導(dǎo)出測(cè)試數(shù)據(jù)



          S型源表簡(jiǎn)介

          普賽斯S系列高精度源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體。產(chǎn)品最大輸出電壓達(dá)300V,最小測(cè)試電流達(dá)100pA,分辨率低至10pA,支持四象限工作,因此,可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件I-V電特性測(cè)試,如半導(dǎo)體IC,功率半導(dǎo)體器件,傳感器,LED等。產(chǎn)品具有如下特點(diǎn):

          • 采用5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作,操作簡(jiǎn)單方便

          • 內(nèi)置豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

          • 四象限工作模式,可在源模式或肼模式下工作

          • 支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

          • 兼容多種上位機(jī)通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

          • 可搭配普賽斯自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件使用,快速實(shí)現(xiàn)不同器件的測(cè)試


          以上是關(guān)于數(shù)字源表iv掃描miniled電性能的方案介紹,更多有關(guān)數(shù)字源表iv掃描miniled電性能信息找普賽斯儀表專員為您介紹


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