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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
數(shù)字源表iv掃描LDO芯片電性能認準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，性價比高，測試范圍更廣，輸出電壓高達300V，支持USB存儲，一鍵導(dǎo)出報告，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時與客戶溝通，為客戶提供高性價比系統(tǒng)解決方案，及時指導(dǎo)客戶編程，加速測試系統(tǒng)開發(fā)
LDO芯片電學(xué)特性測試方案
概述
LDO，全稱為“Low Dropout Regulator"，是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運行的晶體管或場效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器，LDO具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小的特點，需要的外接元件也很少，因此,LDO廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)壓輸出的場景。
（UTC78XX系列LDO封裝以及內(nèi)部電路示意圖）
源表，SMU(Source Measure Unit)電源/測量單元，“源"為電壓源和電流源，“表"為測量表，“源表"即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表。普賽斯S系列高精度源表，集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體。產(chǎn)品最大輸出電壓達300V，最小測試電流量程低至100pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應(yīng)用于LDO類芯片測試。
常用電性能參數(shù)測試
LDO常用的電性能參數(shù)測試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測試系統(tǒng)至少需要配置2臺SMU，并采用上位機軟件(PssSMUTools)進行控制。（以下測試均參考UTC7805規(guī)格進行）
（二線法連接示意圖）
（四線法連接示意圖）
測試方案
Vo輸出電壓測試
Vo輸出電壓，是LDO在正常工作下的穩(wěn)定輸出電壓值。當(dāng)加載在LDO輸入端的工作電壓，在規(guī)定范圍內(nèi)變動時，LDO的輸出電壓Vo穩(wěn)定在特定范圍內(nèi)。常用測試方法為，在LDO的輸入端，加載穩(wěn)定變化的電壓，同時測量對應(yīng)的輸出端電壓值。一般采用二線法連接即可。（參考UTC7805規(guī)格書，其規(guī)格參數(shù)5V左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測試模式 | 在上位機軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測量】 |
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實際測試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為輸入電壓源，而SMU 2則作為電壓表 |
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啟動測試 | 點擊運行圖標(biāo)“ | / |
測試數(shù)據(jù) | 待測試完畢后，分別點擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形 |
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Voi輸入輸出電壓差，ΔVo線性調(diào)整率測試
Voi輸入輸出電壓差，是LDO正常工作時輸入端與輸出端的最小電壓差值。ΔVo線性調(diào)整率是輸入電壓變化后對輸出電壓造成的影響。常用測試方法為，在LDO的輸入端，加載穩(wěn)定變化的電壓，同時測量對應(yīng)的輸出端電壓值，并計算兩端電壓測差值，或者輸出端的變化值。此外，為降低測試中線材的干擾，輸入輸出電壓差測試可采用4線連接法進行測量。（參考UTC7805規(guī)格書，Voi值為2V左右,ΔVo值為4mV左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測試模式 | 在上位機軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測量】 |
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實際測試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為輸入電壓源，而SMU 2則作為電壓表 |
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啟動測試 | 點擊運行圖標(biāo)“ | / |
測試數(shù)據(jù) | 待測試完畢后，分別點擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形 |
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ΔVoload負載調(diào)整率測試
ΔVoload負載調(diào)整率是輸出端接不同負載，輸出端電壓的變化。由于源表可以直接當(dāng)電子負載，所以可以直接讓源表做負載。常用測試方法為，保持LDO輸入端電壓穩(wěn)定不變，在LDO的輸出端，加載不同的電流值，同時測量對應(yīng)的輸出端電壓值，并計算輸出端的電壓變化值。此外，為降低測試中線材的干擾，該測試可采用4線連接法進行測量。（參考UTC7805規(guī)格書，ΔVoload值為4mV左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測試模式 | 在上位機軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測量】 |
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實際測試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為穩(wěn)定的輸入源，而SMU 2則作為負載，同時測量負載兩端的電壓。 |
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啟動測試 | 點擊運行圖標(biāo)“ | / |
測試數(shù)據(jù) | 待測試完畢后，分別點擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形。根據(jù)測試需要，設(shè)置不同的輸出電流參數(shù)，進行多次測試。 |
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IQ靜態(tài)電流測試測試
IQ靜態(tài)電流，是指輸出端空載時，輸入端流進的電流。常用測試方法為，斷開LDO的輸出端的連接，加載不同的電流值，在LDO輸入端加載電壓，并測量對應(yīng)的輸入端電流值。（參考UTC7805規(guī)格書，IQ值為5mA左右）
（連接示意圖）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測試模式 | 在上位機軟件內(nèi)，選擇【數(shù)據(jù)記錄儀】 |
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實際測試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點數(shù)】等。 |
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啟動測試 | 點擊運行圖標(biāo)“ | / |
測試數(shù)據(jù) | 待測試完畢后，分別點擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形。 |
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