產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè) |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
高溫爐部分 | 爐體設(shè)計(jì)為開啟式,以便于更換爐管工作電源∶ 208.240 VAC,50/60Hz z功率為∶2KW 工作溫度∶1200℃(<1hr)連續(xù)工作溫度∶ 1100℃加熱區(qū)長度∶ 200m 恒溫區(qū)長度∶60mm(-1℃@1000℃)注∶由于測(cè)量里手段及外部環(huán)境的影響,測(cè)里結(jié)果可能會(huì)有偏差,此參數(shù)僅供參考不作為該設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)。您購買產(chǎn)品需要準(zhǔn)確的恒溫區(qū)數(shù)據(jù),請(qǐng)與我公司銷售人員 爐管∶ 高純石英管,尺寸50mm ODx44mmIDx450mmL) | |
溫度控制系統(tǒng) | 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為--1℃控溫儀表操作視頻設(shè)有過熱和斷偶保護(hù)熱電偶采用K型熱電偶 | |
真空密封 | 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭,硅膠密封圈密封法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表 右端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管伸縮幅度為150mm)真空度∶ 10-2Torr(用機(jī)械泵抽) 10-5Tor(用分子泵抽) | |
坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)&PLC控制 | 一個(gè)直徑為14"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動(dòng),可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的實(shí)際溫度。 通過步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝(樣品臺(tái)),行程為100mm,移動(dòng)精度為1mm 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置,坩堝移動(dòng)速度為180mm min(更準(zhǔn)的移動(dòng)速度,可與本公司定制,需額外收費(fèi)) 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法 | |
加熱速率和冷卻速率 | 可通過移動(dòng)樣品到已預(yù)加熱的爐體中來得到加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到降溫速率的 降溫速率 加熱速率 10℃C/sec (950℃C-900℃); 10℃℃/sec (150℃.250℃); [7℃/sec (900℃-850℃); 7℃/sec (250℃.350℃); l℃/sec (850℃-750℃);℃/sec (350℃- 500℃); 2℃Csec(750℃-600℃C; B℃C/sec(6500℃.5s0℃); 1.5℃sec(600℃-500℃; 2℃/sec(550℃-650℃); 1℃C/e(500℃-400℃; 1℃C/sec(650℃-800℃); 0.5℃Csec400℃.300℃C); 0.5℃/sec(800℃-1000℃; | |
可選配件 | 可選購手動(dòng)擋板閥(圖1)防腐型數(shù)顯真空計(jì)(圖4) 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2) 多路質(zhì)量流量計(jì)控制的混氣系統(tǒng),用于CVD和DVD實(shí)驗(yàn)(圖5) | |
尺寸 | ||
質(zhì)保 |
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質(zhì)量認(rèn)證 | CE認(rèn)證 所有電器元件(>24V)都通過UL /MET /CSA認(rèn)證 | |
注意事項(xiàng) | 若客戶出認(rèn)證費(fèi)用,本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa 由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MP-0.1MPa,使用時(shí)會(huì)更加安全 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相,保持在常壓狀態(tài) 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管的沖擊石英管的長時(shí)間使用溫度<1100℃ 對(duì)于樣品加熱的實(shí)驗(yàn),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等) | |
應(yīng)用 | 此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn),以下列出了幾種實(shí)驗(yàn)方法 RTE(快速熱蒸發(fā))∶蒸發(fā)料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺(tái)上,樣品臺(tái)與熱電偶相連接,然后將樣品臺(tái)移動(dòng)到理想的位置(此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度) HPCVD(混臺(tái)物理化學(xué)沉積);與RTE相似,但需配混氣系統(tǒng),對(duì)反應(yīng)氣體混臺(tái)并控制流量,同時(shí)也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置(確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度) 水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體∶將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設(shè)定坩堝移動(dòng)速度,慢慢移動(dòng)坩堝
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一年質(zhì)保期,終生維護(hù) (不含加熱元件、爐管和密封圈) |