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Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)器 300MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 300MHz 400-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 2GHz 500-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 2GHz 500-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 1GHz 500-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 1GHz 500-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 500MHz 500-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 500MHz 500-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 400MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 400MHz 400-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi平衡探測(cè)器 300MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si平衡探測(cè)器 300MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)器 200MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 200MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nmSi雪崩平衡探測(cè)器 2GHz 400-1100nm 參考價(jià):面議
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器空芯反諧振光纖 (纖芯35um 包層300um)Si雪崩單元探測(cè)器 500MHz 400-1100nm 參考價(jià):面議
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器空芯反諧振光纖 (纖芯35um 包層300um)Si平衡探測(cè)器 200MHz 400-1100nm 參考價(jià):面議
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筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器硅(Si) 硅基光電探測(cè)器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-50MHz) 參考價(jià):面議
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筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 參考價(jià):面議
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低...硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 參考價(jià):面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nmAPD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (S...16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600 參考價(jià):面議
16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600:器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于...8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz 參考價(jià):面議
美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118M...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)