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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>Si硅光電探測(cè)器>> 16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600

          16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600
          • 16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價(jià) 面議
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          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào)
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時(shí)間:2022-08-08 15:15:46瀏覽次數(shù):912評(píng)價(jià)

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          16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600:器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。
          16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

          器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

          產(chǎn)品特點(diǎn)

          ● 標(biāo)低暗電流

          高均勻性、高對(duì)稱性    

          高可靠性  

          盲區(qū)小

          封裝及尺寸

          外形結(jié)構(gòu)

          TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見圖1,外形尺寸見表1。

          2345截圖20191014101445.png

          2345截圖20191014101905.png

          表1、外形尺寸(單位為毫米)

          尺寸符號(hào)

          φD1

          ΦD2

          ΦD3

          ΦD4

          ΦD5

          Φd

          A

          L1

          L2

          L3

          e

          最小值

          30.55

          27.80

          3.00

          27.915

          22.60

          0.98

          7.03

          3.02

          1.85

          2.70

          18.00

          最大值

          30.65

          28.00

          3.06

          27.94

          23.40

          1.02

          7.20

          3.10

          1.95

          3.00

          18.05


          引出端排列

          器件的引出端排列見圖2,引出端功能應(yīng)符合表2的規(guī)定。

          2345截圖20191014103311.png

          表2、引出端功能表

          管腳

          功能

          電壓極性

          1

          象限1

          2

          公共P極

          負(fù)

          3

          象限4

          4

          環(huán)極

          5

          象限3

          6

          殼體

          7

          象限2

          產(chǎn)品應(yīng)用

          激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置

          激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)

          技術(shù)參數(shù)

          特性參數(shù)

          符號(hào)

          測(cè)試條件

          (除另有規(guī)定外,TA=22℃±3℃)

          參數(shù)值

          最小值

          最大值

          響應(yīng)度(交流)(象限)

          Spi

          λ=1.064μm

          VR=135 V

          脈寬20 ns、Pin=2 mW

          0.25

          A/W

          響應(yīng)度(直流)(象限)

          Rei

          直流、Pin=1μw

          0.30

          響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a

          響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a

          ΔRei

          TA=-45 ℃±2 ℃

          50

          %

          暗電流(象限)

          IDi

          VR=135V

          Pin=0μw

          TA=22℃±3℃

          1

          μA

          TA=70℃±3℃

          10

          暗電流(環(huán))

          ID

          TA=22℃±3℃

          10

          TA=70℃±3℃

          100

          結(jié)電容(象限)

          Cji

          VR=135V,f=1MHz

          15

          pF

          光敏面直徑

          φ


          10

          16

          mm

          等效噪聲功率

          NEPi

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns

          5×10-12

          W/HZ1/2

          擊穿電壓(象限、環(huán))

          VBR

          IR=10μA

          200

          V

          象元間靈敏度非均勻性

          Rf

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %

          象元內(nèi)靈敏度非均勻性

          Rfn

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %

          象元間竄擾因子

          SLi

          λ=1.064 μm,VR=135 V ,脈寬20 ns;Pin=2mW

          5

          %



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