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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器

          MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器
          • MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時間:2023-06-29 12:59:26瀏覽次數(shù):853評價

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          產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材,電子
          2-12μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性,同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

          PVI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光探測器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

          產(chǎn)品特點

          含有四級TE制冷以提高探測器性能

          可探測中紅外波長范圍2-12μm

          可配專用前置放大器

          1mm×1mm大尺寸光敏面

          帶有抗反射涂層窗口鏡

          帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測效率

          封裝及尺寸

          TO8型封裝外形尺寸圖

          7.png

          參量

          數(shù)值

          浸沒微型透鏡形狀

          超半球形

          光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

          0.5×0.5

          1×1

          R,mm

          0.5

          0.8

          A,mm

          7.3±0.4

          6.4±0.4

          備注:

          ?—接收角度;

          R—超半球微型透鏡半徑

          A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


          2TE-TO8引腳定義

          功能

          PIN號

          探測器

          1,3

          反向偏壓(可選)

          1(-),3(+)

          熱敏電阻

          7,9

          TE冷卻器供應(yīng)

          2(+),8(-)

          底板接地

          11

          未使用

          4,5,6,10,12


          4TE-TO66封裝尺寸圖

          88.jpg

          參量

          數(shù)值

          浸沒微型透鏡形狀

          超半球形

          光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

          0.5×0.5

          1×1

          R,mm

          0.5

          0.8

          A,mm

          8.35±0.4

          7.45±0.4

          備注:

          ?—接收角度;

          R—超半球微型透鏡半徑

          A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


          TO66引腳定義

          功能

          PIN號

          探測器

          7,8

          反向偏壓(可選)

          7(-),8(+)

          熱敏電阻

          5,6

          TE冷卻器供應(yīng)

          1(+),9(-)

          未使用

          2,3,4

          產(chǎn)品應(yīng)用

          醫(yī)學(xué)熱成像

          紅外光譜分析

          中紅外氣體吸收檢測

          中紅外激光探測

          技術(shù)參數(shù)

          參數(shù)

          探測器型號

          PVI-4TE-3

          PVI-4TE-3.4

          PVI-4TE-4

          PVI-4TE-5

          PVI-4TE-6

          PVI-4TE-8

          PVI-4TE-10.6

          有源元件材料

          外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


          最佳波長λopt,μm

          3

          3.4

          4

          5

          6

          8

          10.6

          探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

          ≥1×1012

          ≥8×1011

          ≥6×1011

          ≥3×1011

          ≥8×1010

          ≥5×109

          ≥4×109

          探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

          ≥8×1011

          ≥7×1011

          ≥4×1011

          ≥1×1011

          ≥6×1010

          ≥4×109

          ≥2×109

          電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

          ≥0.5

          ≥0.8

          ≥1.0

          ≥1.3

          ≥1.5

          ≥0.5

          時間常數(shù)T,ns

          280

          200

          ≤100

          ≤80

          ≤50

          ≤45

          ≤25

          電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

          ≥30000

          ≥2000

          ≥800

          ≥40

          ≥3

          ≥0.06

          ≥0.05

          有源元件溫度Tdet,K

          ~195

          感光面面積AO,mm×mm

          0.5×0.5,1×1

          封裝

          TO8,TO66

          接收角Φ

          ~36°

          窗口

          wAl2O3

          wZnSeAR


          探測器光譜響應(yīng)特性曲線

          PVI-4TE.jpeg

          熱敏電阻特性曲線

          PV-2TE1.jpeg

          四級TE冷卻參數(shù)表

          參量

          數(shù)值

          Tdet , K

          ~195

          Vmax , V

          8.3

          Imax , A

          0.4

          Qmax , W

          0.28


          抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

          PV-2TE2.jpeg




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