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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>Ge鍺光電二極管>> IRD-GE-05Ge大光敏面鍺光電二極管

          Ge大光敏面鍺光電二極管
          • Ge大光敏面鍺光電二極管
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào) IRD-GE-05
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 產(chǎn)品資料 查看pdf文檔
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時(shí)間:2022-08-08 14:45:34瀏覽次數(shù):1145評(píng)價(jià)

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          Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

          筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

          為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔

          產(chǎn)品特點(diǎn)

          ● 小光敏面大光敏面可選 (100µm to 25mm)

          800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)

          高線性 > 10 dBm

          可以定制透鏡組合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

          封裝方式可選(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)

          產(chǎn)品應(yīng)用

          激光功率計(jì)

          LED/LD老化診斷

          光譜學(xué)

          LED/LD特性

          眼睛安全激光檢測(cè)傳感器

          技術(shù)參數(shù)

          參數(shù)規(guī)格

          探測(cè)材料

          Ge

          響應(yīng)波長(zhǎng)

          800 - 1800 nm

          峰值波長(zhǎng)

          1550 nm   (Typ.)

          響應(yīng)度

          0.85 A/W   (Typ.)

          光敏面直徑

          19.6 mm2 (?5 mm)

          上升/下降沿時(shí)間 (RL = 50 Ohms, 10 V)

          220 ns / 220 ns (Typ.)

          NEP, Typical (1550 nm)

          4.0 x   10-12 W/Hz1/2 (Typ.)

          暗電流 (5 V)

          60 µA (Max.)

          電容(10 V)
           電容(0 V)

          1800 pF (Max.)
           16000 pF (Max.)

          分流電阻

          4000 Ohm   (Typ.)

          封裝形式

          TO-8

          最大擊穿打壓

          10 V

          操作溫度

          -55 to 60 °C

          存儲(chǔ)溫度

          -55 to 60 °C

          備注:1、典型值;RL = 50 Ω,除非另有說(shuō)明

                    2、NEP在光伏模式下


          光譜響應(yīng)曲線

          ge1.png

          ge2.jpg


          引腳定義

          推薦電路

          ge9.png




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