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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器>> GAP3000/2.22.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器

          2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器
          • 2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào) GAP3000/2.2
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 產(chǎn)品資料 查看pdf文檔
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時(shí)間:2022-08-08 14:00:07瀏覽次數(shù):947評(píng)價(jià)

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          2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器:峰值波長(zhǎng)(典型): 2.0 ± 0.1um 截止波長(zhǎng) (50%): 2.2 ± 0.1um 響應(yīng)度@ λP(min/typ):0.9/1.0A/W 有效直徑:3mm

          2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。


          技術(shù)參數(shù)

          產(chǎn)品特點(diǎn):

          有效直徑2mm,3 mm可選

          擴(kuò)展的截止波長(zhǎng)2.2μm

          高分流電阻

          封裝形式TO-5


          產(chǎn)品應(yīng)用:

          氣體檢測(cè)

          碳?xì)浠衔飩鞲?/p>

          紅外光譜

          光譜學(xué)

          SWIR光電探測(cè)


          技術(shù)參數(shù):

          電學(xué)參數(shù)@ 23 oC ± 2 oC

          參數(shù)

          GAP2000/2.2

          GAP3000/2.2

          單位

          有效直徑

          2

          3

          mm

          峰值波長(zhǎng)(典型)

          2.0 ± 0.1

          2.0 ± 0.1

          um

          截止波長(zhǎng) (50%)

          2.2 ± 0.1

          2.2 ± 0.1

          µm

          響應(yīng)度@ λP(min/typ)

          0.9/1.0

          0.9/1.0

          A/W

          分流電阻 (min/typ)

          6k/10k

          2k/6k

          Ω

          暗電流(max)

          40 @ 1 V

          100 @ 1 V

          µA

          電容 (typ) @ 0 V

          4000

          8000

          pF

          帶寬 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

          0.795

          0.397

          MHz

          上升時(shí)間 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

          440

          881

          ns

          NEP @ λPEAK (typ)

          128 x 10-14

          287 x 10-14

          W/Hz1/2

          線性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

          6

          6

          dBm

          封裝

          TO-5

          TO-5



          最大參數(shù)

          參數(shù)

          GAP2000/2.2

          GAP3000/2.2

          單位

          存儲(chǔ)溫度

          -40 to 125

          -40 to 125

          工作溫度

          -40 to 85

          -40 to 85

          反向電壓

          1

          1

          V

          反向電流

          10

          10

          mA

          正向電流

          10

          10

          mA

          功耗

          50

          50

          mW


          波長(zhǎng)響應(yīng)曲線


          406.png


          largearea_extended_ingaas_photodiodes.jpg





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