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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> 2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列

          2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列
          • 2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào)
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時(shí)間:2022-09-06 17:47:24瀏覽次數(shù):647評(píng)價(jià)

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          2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列

          PVI-3TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時(shí)具有他本身的最佳性能。切割波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。

          2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列

          PVI-3TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時(shí)具有他本身的最佳性能。切割波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

          光譜響應(yīng)
          2.0-12um
          技術(shù)參數(shù)

          產(chǎn)品特點(diǎn)

          ● 含有三級(jí)TE制冷以提高探測器性能

          ● 可探測中紅外波長范圍2-12μm

          ● 可配專用前置放大器

          ● 1mm×1mm大尺寸光敏面

          ● 帶有抗反射涂層窗口鏡

          ● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測效率


          產(chǎn)品應(yīng)用

          ● 醫(yī)學(xué)熱成像

          ● 紅外光譜分析

          ● 中紅外氣體吸收檢測

          ● 中紅外激光探測


          參數(shù)

          探測器型號(hào)

          PVI-3TE-3

          PVI-3TE-3.4

          PVI-3TE-4

          PVI-3TE-5

          PVI-3TE-6

          PVI-3TE-8

          PVI-3TE-10.6

          有源元件材料

          外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


          最佳波長λopt,μm

          3

          3.4

          4

          5

          6

          8

          10.6

          探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

          ≥9×1011

          ≥7×1011

          ≥5×1011

          ≥1×1011

          ≥6×1010

          ≥5×109

          ≥3×109

          探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

          ≥7×1011

          ≥5×1011

          ≥3×1011

          ≥8×1010

          ≥3×1010

          ≥3×109

          ≥1.5×109

          電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

          ≥0.5

          ≥0.8

          ≥1.0

          ≥1.3

          ≥1.5

          ≥1.0

          ≥0.7

          時(shí)間常數(shù)T,ns

          280

          200

          ≤100

          ≤80

          ≤50

          ≤45

          ≤10

          電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

          24000

          ≥1500

          ≥600

          ≥30

          ≥2.5

          ≥0.04

          ≥0.02

          有源元件溫度Tdet,K

          ~210

          感光面面積AO,mm×mm

          0.5×0.5,1×1

          0.05×0.05

          封裝

          TO8,TO66

          接收角Φ

          ~36°

          窗口

          wAl2O3

          wZnSeAR


          TO8型封裝外形尺寸圖

          參量

          數(shù)值

          浸沒微型透鏡形狀

          超半球形

          光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

          0.5×0.5

          1×1

          R,mm

          0.5

          0.8

          A,mm

          5.7±0.35

          4.8±0.35

          備注:

          ?—接收角度;

          R—超半球微型透鏡半徑

          A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


          2TE-TO8引腳定義

          功能

          PIN號(hào)

          探測器

          1,3

          反向偏壓(可選)

          1(-),3(+)

          熱敏電阻

          7,9

          TE冷卻器供應(yīng)

          2(+),8(-)

          底板接地

          11

          未使用

          4,5,6,10,12



          3TE-TO66封裝尺寸圖

          222222.jpg

          參量

          數(shù)值

          浸沒微型透鏡形狀

          超半球形

          光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

          0.5×0.5

          1×1

          R,mm

          0.5

          0.8

          A,mm

          6.75±0.35

          5.85±0.35

          備注:

          ?—接收角度;

          R—超半球微型透鏡半徑

          A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


          TO66引腳定義

          功能

          PIN號(hào)

          探測器

          7,8

          反向偏壓(可選)

          7(-),8(+)

          熱敏電阻

          5,6

          TE冷卻器供應(yīng)

          1(+),9(-)

          未使用

          2,3,4


          探測器光譜響應(yīng)特性曲線

          PVI-3TE.png

          熱敏電阻特性曲線

          PV-2TE1.jpeg

          兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

          參量

          數(shù)值

          Tdet , K

          ~210

          Vmax , V

          3.6

          Imax , A

          0.35

          Qmax , W

          0.27


          抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

          PV-2TE2.jpeg


          2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列

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