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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>InGaAs銦鎵砷光電二極管>> 銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2

          銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2
          • 銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          >

          更新時間:2022-09-14 11:31:57瀏覽次數(shù):894評價

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          產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材,電子
          銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2
          2.2um擴展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。

          銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2

          2.2um擴展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。



          光譜響應(yīng)
          2.2um
          感光規(guī)格
          3mm ?
          截止波長
          2.2±0.1um
          帶寬(Hz)
          300 kHz-1MHz
          技術(shù)參數(shù)

          產(chǎn)品特點:

          有效直徑2mm,3 mm可選

          擴展的截止波長2.2μm

          高分流電阻

          封裝形式TO-5


          產(chǎn)品應(yīng)用:

          氣體檢測

          碳?xì)浠衔飩鞲?/p>

          紅外光譜

          光譜學(xué)

          SWIR光電探測


          技術(shù)參數(shù):

          電學(xué)參數(shù)@ 23 oC ± 2 oC

          參數(shù)

          GAP2000/2.2

          GAP3000/2.2

          單位

          有效直徑

          2

          3

          mm

          峰值波長(典型)

          2.0 ± 0.1

          2.0 ± 0.1

          um

          截止波長 (50%)

          2.2 ± 0.1

          2.2 ± 0.1

          µm

          響應(yīng)度@ λP(min/typ)

          0.9/1.0

          0.9/1.0

          A/W

          分流電阻 (min/typ)

          6k/10k

          2k/6k

          Ω

          暗電流(max)

          40 @ 1 V

          100 @ 1 V

          µA

          電容 (typ) @ 0 V

          4000

          8000

          pF

          帶寬 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

          0.795

          0.397

          MHz

          上升時間 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

          440

          881

          ns

          NEP @ λPEAK (typ)

          128 x 10-14

          287 x 10-14

          W/Hz1/2

          線性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

          6

          6

          dBm

          封裝

          TO-5

          TO-5



          最大參數(shù)

          參數(shù)

          GAP2000/2.2

          GAP3000/2.2

          單位

          存儲溫度

          -40 to 125

          -40 to 125

          工作溫度

          -40 to 85

          -40 to 85

          反向電壓

          1

          1

          V

          反向電流

          10

          10

          mA

          正向電流

          10

          10

          mA

          功耗

          50

          50

          mW


          波長響應(yīng)曲線


          406.png


          largearea_extended_ingaas_photodiodes.jpg


          銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2

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