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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>Si硅光電二極管>> 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)

          硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)
          • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm  (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時間:2022-10-25 09:29:35瀏覽次數(shù):810評價

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          硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)
          硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。
          總覽

          Si 硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。

          通用參數(shù)

          產(chǎn)品特點:

          正照平面型芯片結(jié)構(gòu)

          高速響應(yīng)

          高增益

          低結(jié)電容

          低噪聲


          產(chǎn)品應(yīng)用:

          激光測距

          激光雷達(dá)

          激光警告

          技術(shù)參數(shù):

          光電性能(@Ta=22±3℃)


           

          器件型號

          光譜響應(yīng)范

          (nm)

          峰值響

          應(yīng)波長

          (nm)

          響應(yīng)度

          λ =905nm

          φ e =1μW

          M=100

          (A/W)

          暗電流

          M=100

          (nA)

          響應(yīng)時間

          λ =905nm

          R L =50Ω

          (ns)

          工作電壓

          溫度系數(shù)

          T a =-40℃

          ~85℃

          (V/℃)

          總電容

          M=100

          f=1MHz

          (pF)

          擊穿電壓

          I R =10μA

          (V)

          典型

          最大

          最小

          最大

          APD-SI-905-2-TO46

          400~1100

          905

          55

          0.2

          1

          0.6

          0.9

          1.0

          130

          220

          APD-SI-905-5-TO46

          0.4

          1

          1.2

          APD-SI-905-8-TO46

          0.8

          2

          2.0

          APD-SI-905-2-LCC3

          0.2

          1

          1.0

          APD-SI-905-5-LCC3

          0.4

          1

          1.2

           

           

          結(jié)構(gòu)/最大絕對額定值

          器件型號

          封裝形式

          光敏面直徑

          (mm)

          工作電壓

          (V)

          工作溫度

          (℃)

          儲存溫度

          (℃)

          焊接溫度

          (℃)

          正向電流

          (mA)

          耗散功率

          (mW)

          APD-SI-905-2-TO46

          TO-46

          0.23

          0.9×V BR

          -40~85

          -45~100

          260

          0.25

          100

          APD-SI-905-5-TO46

          TO-46

          0.50

          APD-SI-905-8-TO46

          TO-46

          0.80

          APD-SI-905-2-LCC3

          LCC3

          0.23

          APD-SI-905-5-LCC3

          LCC3

          0.50

           

           

          產(chǎn)品型號

           

          名稱

          型號

          描述

          價格

          貨期

          硅雪崩光電二極管

           

          APD-SI-905-2-TO46

          光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm

          峰值響應(yīng)波長:905nm

          光敏面直徑:0.23mm

          封裝:TO46



          硅雪崩光電二極管

           

          APD-SI-905-5-TO46

          光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm

          峰值響應(yīng)波長:905nm

          光敏面直徑:0.50mm

          封裝:TO46



          硅雪崩光電二極管

           

          APD-SI-905-8-TO46

          光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm

          峰值響應(yīng)波長:905nm

          光敏面直徑:0.80mm

          封裝:TO46



          硅雪崩光電二極管

           

          APD-SI-905-2-LCC3

          光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm

          峰值響應(yīng)波長:905nm

          光敏面直徑:0.23mm

          封裝:LCC3



          硅雪崩光電二極管

           

          APD-SI-905-5-LCC3

          光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm

          峰值響應(yīng)波長:905nm

          光敏面直徑:0.50mm

          封裝:LCC3



           

           

          典型特性曲線


          302.png


          303.png



          304.png


          305.png


          封裝外形、尺寸及引腳定義

          APD-SI-2-2/5/8-TO46(三腳和兩腳封裝)


          306.png


          APD-SI-2-2/5-LCC3


          307.png


          308.png


          等效電路及應(yīng)用電路



          309.png






          310.png






          注:C 1 -濾波電容,濾除偏置工作電壓 V R 的噪聲。

          C 2 -旁路電容,為交流信號提供對地回路。

          R 1 -限流電阻,防止偏置工作電壓 V R 過高時,損壞探測器。

          R i -取樣電阻,將光電流轉(zhuǎn)化為電壓信號。

          定購信息:


          型號規(guī)則


          【APD-SI-響應(yīng)波長-光敏面直徑-封裝形式】


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