目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb>> II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-11um TO8
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更新時(shí)間：2022-09-16 15:29:19瀏覽次數(shù)：844評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
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II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-11um TO8
PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻率下的性能會(huì)降低。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗(wZnSeAR)防止不必要的干擾效應(yīng)。對(duì)于連續(xù)波輻射的檢測(cè)，推薦使用光斬波系統(tǒng)。該探測(cè)器不含汞和鎘，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 光譜范圍：1.6 ~ 11.0 μm
● 高響應(yīng)度
● 好的線性關(guān)系
產(chǎn)品應(yīng)用
● 中紅外激光探測(cè)
● 中紅外氣體分析
測(cè)試條件：Ta=20℃
參數(shù) | 探測(cè)器類(lèi)型 |
PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70 | |
有源元件材料 | 外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
起始波長(zhǎng)λcut-on（10%），μm | 1.6±0.2 |
峰值波長(zhǎng)，λpeak，μm | 6.2±0.3 |
截止波長(zhǎng)λcut-off（10%），μm | 11.0±0.3 |
響應(yīng)度D*(λpeak, 20 kHz), cm·Hz1/2/W | ~2.8×108 |
電流響應(yīng)度Ri(λpeak), A/W | ~2.8 |
時(shí)間常數(shù)T,ns | ~12 |
電阻R,Ω | ~95 |
偏置電壓Vb, V | typ. 0.5 |
1/f噪聲角頻率fc, Hz | typ. 20k |
工作溫度Tdet,K | ~230 |
光敏面A,mm×mm | 0.1×0.1 |
封裝 | TO8 |
接收角度Φ | ~70° |
窗口 | wZnSeAR |
20℃探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線
兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet,K | ～230 |
Vmax,V | 1.2 |
Imax,A | 1.3 |
Qmax,W | 0.36 |
熱敏電阻特性曲線
窗口鏡抗反射涂層透過(guò)率曲線
輸入功率與輸出電流線性度曲線（TBB—黑體溫度）
封裝及尺寸
2TE-TO8封裝尺寸圖
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
備注：使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)
1、散熱2TE冷卻器產(chǎn)生的熱量，需要有~2 K/W的熱阻散熱器。
2、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%，環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。
3、功率限制：連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí)，對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過(guò)100 W/cm2；小于1 μs的脈沖輻照度不能超過(guò)1 MW/cm2。
4、儲(chǔ)存于濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。
產(chǎn)品應(yīng)用
II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-11um TO8
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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