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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>Ge鍺光電二極管>> Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)

          Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)
          • Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海
          屬性

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          更新時間:2022-09-19 11:35:42瀏覽次數(shù):1041評價

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          產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材,電子
          Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)

          筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。

          Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)

          筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

          為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔 

          光譜響應(yīng)
          800-1800nm
          感光規(guī)格
          5mm ?
          響應(yīng)度
          @1550nm 0.85 A/W
          技術(shù)參數(shù)


          產(chǎn)品特點

          小光敏面大光敏面可選 (100µm to 25mm)

          800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)

          高線性 > 10 dBm

          可以定制透鏡組合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)

          封裝方式可選(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)


          產(chǎn)品應(yīng)用

          激光功率計

          LED/LD老化診斷

          光譜學(xué)

          LED/LD特性

          眼睛安全激光檢測傳感器



          參數(shù)規(guī)格

          探測材料

          Ge

          響應(yīng)波長

          800 - 1800 nm

          峰值波長

          1550 nm   (Typ.)

          響應(yīng)度

          0.85 A/W   (Typ.)

          光敏面直徑

          19.6 mm(?5 mm)

          上升/下降沿時間 (RL = 50 Ohms, 10 V)

          220 ns / 220 ns (Typ.)

          NEP, Typical (1550 nm)

          4.0 x   10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

          暗電流 (5 V)

          60 µA (Max.)

          電容(10 V)
            電容(0 V)

          1800 pF (Max.)
            16000 pF (Max.)

          分流電阻

          4000 Ohm   (Typ.)

          封裝形式

          TO-8

          最大擊穿打壓

          10 V

          操作溫度

          -55 to 60 °C

          存儲溫度

          -55 to 60 °C

          備注:1、典型值;RL = 50 Ω,除非另有說明

                     2、NEP在光伏模式下


          光譜響應(yīng)曲線

          ge1.png

          ge2.jpg


          引腳定義

          推薦電路

          ge9.png

          下載


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