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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>InGaAs銦鎵砷光電二極管>> 高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝

          高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
          • 高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào)
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海市
          屬性

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          更新時(shí)間:2023-04-20 10:03:09瀏覽次數(shù):847評(píng)價(jià)

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          應(yīng)用領(lǐng)域 化工,建材,電子 組成要素 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備
          高速InGaAs PIN光電二極管 600-1750nm TO-39封裝
          總覽

          靈敏度波長(zhǎng)范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個(gè)高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列, 非常適合于光通信設(shè)備??蛻艨梢远ㄖ品庋b形式。

          高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝,高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
          通用參數(shù)

          特點(diǎn)

          響應(yīng)速度快

          TO-39封裝

          有效面積3.0mmФ/高靈敏度

          光譜范圍800nm-2600nm


          應(yīng)用

          高速光通信

          工業(yè)控制

          分析氣體/水

          激光測(cè)距

          醫(yī)療


          絕對(duì)最大額定參數(shù) (Ta=25oC)

          參數(shù)符號(hào)主要指標(biāo)單位

          有效光敏面直徑

          Ф

          3.0mm

          工作溫度范圍

          Topr

          40 to +85

          oC

          儲(chǔ)存溫度范圍

          Tstg

          40 to +125

          oC



          光電參數(shù) (Ta = 25oC)

          參數(shù)

          符號(hào)

          條件

          MIN

          典型值

          MAX

          單位

          擊穿電壓

          VR

          IR=10uA

          --

          --

          1

          V

          靈敏度范圍

          λ

          VR=0V

          800

          --

          2600

          nm

          暗電流

          ID

          VR=0V

          --

          80

          --

          nA

          暗電流

          ID

          VR=1V

          --

          770

          --

          uA

          響應(yīng)度

          R

          λ=2400nm

          --

          1.24

          --

          A/W

          分流電阻

          Shunt Resistance

          RS

          VR=10mV

          --

          0.5

          --

          kOhm

          量子效率

          QE

          λ=1840nm

          --

          72

          --

          %

          電容

          C

          VR =0V

          --

          3100

          --

          pF

          電容

          C

          VR =1V

          --

          500

          --

          pF



          封裝尺寸



          單位: mm, 誤差: ±0.2


          光譜響應(yīng)曲線


          量子效率曲線




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