目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>Si硅光電探測(cè)器>> Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC
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更新時(shí)間：2023-04-19 11:14:29瀏覽次數(shù)：541評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 | 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)
Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC產(chǎn)品特點(diǎn)
噪聲低
高增益
內(nèi)置高壓電源
APD溫度補(bǔ)償
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源
產(chǎn)品應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光測(cè)距
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | APD-100M-B | APD-200M-B | APD-300M-B | APD-400M-B | APD-500M-B | APD-1G-B | APD-2G-B | 單位 |
探測(cè)器類(lèi)型 | Si | |||||||
波長(zhǎng) | 400~1100 | nm | ||||||
帶寬 | 100M | 200M | 300M | 400M | 500M | 1G | 2G | Hz |
響應(yīng)度 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | A/W@850nm |
跨阻增益 | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | V/W |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
飽和功率 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 30 | uW |
NEP | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.2 | 0.2 | pW/√(Hz) |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學(xué)輸入 | FC/APC（自由空間光可選） | |||||||
射頻輸出 | SMA | |||||||
外形尺寸 | 65*50*20 | mm | ||||||
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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