目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>光電探測器>>Si硅光電探測器>> 硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 200MHz
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,建材,電子 | 組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設備 |
高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點，可以有效的減少信號的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。
產(chǎn)品型號 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B
硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 200MHz ,硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 200MHz產(chǎn)品特點
噪聲低
高增益
高帶寬
結(jié)構緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源
應用領域
分布式光纖傳感
激光測風雷達
光學相干層析
光譜測量
ns 級光脈沖探測
技術參數(shù)
產(chǎn)品型號 | BPD-Si-100M-B | BPD-Si-200M-B | BPD-Si-350M-B | BPD-Si-500M-B | BPD-Si-1G-B | 單位 |
探測器型號 | Si | |||||
波長 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | nm |
帶寬 | 100M | 200M | 350M | 500M | 1G | Hz |
探測器響應度 | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | A/W |
跨阻增益 | 30K | 30K | 30K | 30K | 30K | V/A |
飽和輸入光功率 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | μW |
NEP | 12 | 12 | 12 | 13 | 13 | pW/Sqrt(Hz) |
共模抑制比 | >25 | >25 | >25 | >25 | >25 | dB |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學輸入 | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | |
射頻輸出 | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | |
外形尺寸 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | mm |
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