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產(chǎn)品型號(hào)QUINT-BAT/24DC/12AH
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地上海市
更新時(shí)間:2024-11-15 15:48:58瀏覽次數(shù):202次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)菲尼克斯開關(guān)電源2866776帶動(dòng)態(tài)功率裕度
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電氣 |
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菲尼克斯功率存儲(chǔ)設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)
哪種材料適合作為某種半導(dǎo)體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負(fù)被區(qū)分為施主(donor)與受主(acceptor)。施主原子帶來(lái)的價(jià)電子(valence electrons)大多會(huì)與被摻雜的材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵,進(jìn)而被束縛。而沒(méi)有和被摻雜材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵的電子則會(huì)被施主原子微弱地束縛住,這個(gè)電子又稱為施主電子。和本質(zhì)半導(dǎo)體的價(jià)電子比起來(lái),施主電子躍遷至傳導(dǎo)帶所需的能量較低,比較容易在半導(dǎo)體材料的晶格中移動(dòng),產(chǎn)生電流。雖然施主電子獲得能量會(huì)躍遷至傳導(dǎo)帶,但并不會(huì)和本質(zhì)半導(dǎo)體一樣留下一個(gè)電洞,施主原子在失去了電子后只會(huì)固定在半導(dǎo)體材料的晶格中。因此這種因?yàn)閾诫s而獲得多余電子提供傳導(dǎo)的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體(n-type semiconductor),n代表帶負(fù)電荷的電子。
和施主相對(duì)的,受主原子進(jìn)入半導(dǎo)體晶格后,因?yàn)槠鋬r(jià)電子數(shù)目比半導(dǎo)體原子的價(jià)電子數(shù)量少,等效上會(huì)帶來(lái)一個(gè)的空位,這個(gè)多出的空位即可視為電洞。受主摻雜后的半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體(p-type semiconductor),p代表帶正電荷的電洞。
以一個(gè)硅的本質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)明摻雜的影響。硅有四個(gè)價(jià)電子,常用于硅的摻雜物有三價(jià)與五價(jià)的元素。當(dāng)只有三個(gè)價(jià)電子的三價(jià)元素如硼(boron)摻雜至硅半導(dǎo)體中時(shí),硼扮演的即是受主的角色,摻雜了硼的硅半導(dǎo)體就是p型半導(dǎo)體。反過(guò)來(lái)說(shuō),如果五價(jià)元素如磷(phosphorus)摻雜至硅半導(dǎo)體時(shí),磷扮演施主的角色,摻雜磷的硅半導(dǎo)體成為n型半導(dǎo)體。
菲尼克斯功率存儲(chǔ)設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)
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