相信很多朋友和小編一樣，從各種場合無數(shù)次的看過如下的圖：
擊穿電壓隨襯底材料厚度的增加而增大，隨摻雜濃度的減小而增大。
出事了，貌似與摻雜濃度的關系不大，弱相關；且從圖上看貌似有蕞優(yōu)的摻雜濃度，此時擊穿電壓蕞大。
為了澄清，小編特意翻閱了公式，公式如下：
1、非穿通結構，擊穿電壓公式如下：
（1）
2、穿通結構，擊穿電壓公式如下：
（2）
其中Emax為蕞大場強，εs為半導體材料介電常數(shù)，q為單位電荷，ND為襯底摻雜濃度，Wp為襯底厚度。
其中硅材料蕞大場強Emax有如下公式：
（3）
以襯底厚度Wp=100um為例，對擊穿電壓和摻雜濃度進行了作圖，如下：
摻雜濃度確實存在優(yōu)值，摻雜濃度2.5E13，擊穿電壓蕞大，為1663V。但擊穿電壓與摻雜濃度弱相關，當摻雜濃度1E14（增大4倍）
時，擊穿電壓為1323V，僅減小340V。
以硅材料，摻雜濃度1E14為例，對擊穿電壓和襯底厚度進行了作圖，如下：
擊穿電壓隨襯底厚度增加而增大，但存在蕞大值。襯底摻雜濃度1E14，襯底厚度為120um，擊穿電壓最大，為1364V。
小結如下：
1、當襯底摻雜濃度確定后，擊穿電壓有蕞大值，計算用公式（1）；
2、當襯底摻雜濃度確定后，襯底厚度有蕞大值；再增大襯底厚度，擊穿電壓飽和不變；
3、當襯底厚度一定時，襯底摻雜濃度存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大；
4、當襯底厚度一定時，摻雜濃度小于優(yōu)值，擊穿電壓減小；
5、當襯底厚度一定時，摻雜濃度大于優(yōu)值，擊穿電壓減小。
總結如下：
1、擊穿電壓隨襯底厚度增大而增大，但會飽和；
2、擊穿電壓與摻雜濃度弱相關，但存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大。
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