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Chroma 19036致茂安規(guī)綜合測試儀為繞線組件電氣安規(guī)掃描分析儀結(jié)合了耐壓測試 (AC/DC)、絕緣電阻測量 (IR)、直流電阻測量 (DCR) 與脈沖測試( IWT) 于一臺單機(jī)，擁有耐壓測試最高AC 5kV/DC 6kV、絕緣電阻測量最高DC 5kV、四線式直流電阻測量范圍2mΩ~2MΩ與脈沖測試最高DC 6kV，且擁有10通道可執(zhí)行一次多個待測物的掃描測試，搭配外接信道掃描盒最多可達(dá)到40信道的多組掃描測試，能節(jié)省測試時間及人力成本，并大幅提升生產(chǎn)效率。

19036可針對馬達(dá)、變壓器、電感等繞線組件產(chǎn)品進(jìn)行安規(guī)測試，讓繞線組件的生產(chǎn)制造商及用戶在產(chǎn)品檢驗時，能更有效率地為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)。

線圈會發(fā)生絕緣不良通常是因為初始設(shè)計不良、加工制程不良或是絕緣材料劣化等導(dǎo)致線圈發(fā)生圈與圈之間的層間短路、線圈與磁芯的絕緣不良或是線圈與接腳短路。在產(chǎn)品制造的測試項目中加入脈沖測試可對產(chǎn)品進(jìn)行多種缺陷的分析測量，進(jìn)而提升繞線組件產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量。

脈沖測試擁有面積比較、面積差比較、顫動量偵測、二次微分、波峰差比、諧振面積比與頻率差比的判定，可針對線圈的層間絕緣不良、質(zhì)量不良及感量差異進(jìn)行有效的檢測與分析。

19036具備四線式直流電阻測量技術(shù)，每通道含有Drive與Sense的接口，單機(jī)可提供10通道的四線式直流電阻測量；直流電阻測量也具備溫度補償功能，可配合溫度探棒對待測物或環(huán)境溫度進(jìn)行測量后，進(jìn)行溫度補償?shù)淖柚涤嬎恪?/p>

19036擁有高速接觸檢查 (HSCC) 及開路檢查(OSC) 的功能，在執(zhí)行測試前快速地為每個通道檢查待測物的接觸/連接是否良好以及待測物是否有開路或短路的問題，可解決因待測物接觸不良而導(dǎo)致測試失敗或無效測試的問題。

19036的耐壓測試具有500VA的輸出功率設(shè)計，符合IEC/UL對輸出功率的要求 (如馬達(dá)的安規(guī)測試標(biāo)準(zhǔn)UL1004-1、GB14711)，可輸出及測量電流AC最大120mA (<4kV)/DC最大20mA，滿足漏電流較大或大型設(shè)備的電氣安規(guī)測試需求。

致茂安規(guī)綜合測試儀19036產(chǎn)品特點：

■ 五合一安規(guī)掃描分析儀 (交流耐壓、直流耐壓、絕緣電阻、直流電阻、脈沖測試)

■ 耐壓測試 (Hi-pot)- 交流最大AC 5kV / 直流最大DC 6kV- 高頻接觸檢查 (HFCC)

■ 絕緣電阻測量 (IR)- 最大 5kV

■ 直流電阻測量 (DCR)- 直流電阻平衡功能 (DCR Balance)

■ 脈沖測試 (IWT)- 波形取樣率 (200MHz)- 崩潰電壓分析模式的2種判定· 面積比較 (Area)· 二次微分 (Laplacian)- 測試模式的7種判定· 面積比較 (Area)· 面積差比較 (Differential Area)· 顫動量偵測 (Flutter)· 二次微分 (Laplacian)· 波峰差比 (Peak%)· 諧振面積比 (Resonant Area)· 頻率差比 ( fr%)

■ Δ/Y型直流電阻 (/Y DCR)

■ 脈沖測試比較 (IWT CMP)

■ 高速接觸檢查 (HSCC)

■ 開路檢查 (OSC)

■ 支持3302/3252感量、Q值量測 (選購)- 電感 (Lx)- 電感平衡 (Lx Balance)

■ 人體接地保護(hù)功能 (GFI)

■ 支持最多40信道掃描測試

■ USB數(shù)據(jù)儲存及畫面擷取功能

■ 標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232接口

■ 操作接口( 英文、繁中、簡中)

產(chǎn)品優(yōu)勢：

耐壓測試

■ 電氣閃絡(luò)偵測 Flashover Detection (ARC)

電氣閃絡(luò)的現(xiàn)象是因電位差或電場強(qiáng)度足以導(dǎo)致絕緣材料的內(nèi)部或表面失去原有的絕緣特性所產(chǎn)生的瞬時或非連續(xù)性放電。當(dāng)放電的能量釋放足以對產(chǎn)品的絕緣材料造成傷害，絕緣材料就會發(fā)生碳化導(dǎo)致導(dǎo)電通路的形成進(jìn)而使產(chǎn)品短路。如果只以漏電流做為判定條件，將無法檢測出會發(fā)生異常放電的不良產(chǎn)品，所以需要以電壓或漏電流的變化率作為判定的條件，才能有效的檢測出會發(fā)生異常放電的不良品。因此，電氣閃絡(luò)偵測為耐壓測試的檢驗項目之一，19036的AC與DC Hi-pot測試模式也都具備偵測漏電流變化率的電氣閃絡(luò)偵測功能。

直流電阻測量 (DCR)

■ 四線式測量/兩線式測量 4-wire Measurement / 2-wire Measurement19036 的10個通道都擁有四線式直流電阻測量(2mΩ~2MΩ)的能力，可提供馬達(dá)及變壓器等多線圈繞組的繞線組件高準(zhǔn)確度的直流電阻測量。此外，搭配外接掃描盒最多可支持40通道測量。掃描盒:• 四線式測量: A190362 (搭配四線式高壓測試線)• 兩線式測量: A190359 (搭配兩線式高壓測試線)

■ 直流電阻平衡 (DCR Balance)

馬達(dá)的直流電阻不平衡時，容易因為旋轉(zhuǎn)不平衡造成較多的能量損耗與顫動，長時間使用會導(dǎo)致質(zhì)量逐漸不良。直流電阻平衡模式的判定方式是將所有繞組中最大的直流電阻值與最小的直流電阻值比較差異，若差異超過允許的設(shè)定范圍即判定為不良品，這是馬達(dá)類產(chǎn)品可靠度測試的有效輔助工具。

■ 溫度補償功能 (Temperature Compensation)

當(dāng)測量較小的直流電阻值時，常會遇到因為溫差所造成的測量差異問題。所以，當(dāng)環(huán)境溫度不同時，直流電阻值的量測結(jié)果會隨著溫度的不同而有所差異。19036的溫度補償功能(Temp. Compensation)搭配溫度探棒并透過溫度系數(shù)將測量到的直流電阻值換算為目標(biāo)溫度下的電阻值，減少溫度差異所造成的影響。

接觸檢查功能

█ 高速接觸檢查 High Speed Contact Check (HSCC)

當(dāng)測試回路發(fā)生開路時，不良品可能會被誤判為良品，導(dǎo)致測試的結(jié)果無效。若測試回路發(fā)生短路時，需于耐壓測試前提早得知，減少對治具設(shè)備的傷害。高速接觸檢查可更快速地掃描所有測試回路上的待測物接觸是否正常/良好，可讓耐壓測試前的接觸檢查比以往更快完成。

█ 開路檢查 Open Short Contact (OSC)

開短路檢查可偵測測試治具與待測物之間是否有開路 (接觸不良) 以及繞組與鐵芯間是否有短路。開短路檢查的判斷標(biāo)準(zhǔn)為測試回路上的電容值，當(dāng)測試治具與待測物確實接上時，測試回路的電容值就會在允許的范圍內(nèi)。但是當(dāng)測試治具與待測物未接觸時，測試回路的電容值就會低于允許的范圍，被判定為開路；當(dāng)測試治具或待測物有短路時，測試回路的電容值就會高于允許的范圍，被判定為短路。

█ 高頻接觸檢查 High Frequency Contact Check (HFCC)

19036的AC與DC Hi-pot測試模式都具備高頻接觸檢查。高頻接觸檢查與開短路檢查類似，但是使用較高的測試頻率來提高對較小電容值(1pF~100pF)的開短路檢查。

副步驟功能 (SUB-Step)

生產(chǎn)線經(jīng)常為了提升生產(chǎn)的檢測速度，以并聯(lián)的方式同時對多個待測物 (測試點) 執(zhí)行耐壓測試，但當(dāng)并聯(lián)測試的結(jié)果為不良時，因難以區(qū)分各別產(chǎn)品為良品還是不良品，導(dǎo)致需將這些產(chǎn)品移至后測站來區(qū)分良品與不良品，反而增加測試站的總數(shù)及生產(chǎn)成本。副步驟功能 (SUB-Step)是 將主步驟的不良判定 (FAIL) 結(jié)果做為觸發(fā)執(zhí)行副步驟的條件，所以當(dāng)主步驟 (并聯(lián)) 測試的結(jié)果為不良時，測試流程才會進(jìn)入副步驟(單顆)進(jìn)行各別測試，可快速判斷出不良品使產(chǎn)能與檢測質(zhì)量得到優(yōu)化。

人體接地保護(hù)功能 (GFI)

人體接地保護(hù)功能 (GFI) 是用來保護(hù)測試人員。當(dāng)測試人員突然發(fā)生人體感電的情形時，人體接地保護(hù)功能能夠立即切斷輸出來保護(hù)測試人員不受電氣傷害。人體接地保護(hù)功能利用比較返回的總電流 (i2) 與機(jī)器Return端的電流 (i1) 來偵測從地端 (Earth/GND) 流回機(jī)器的電流 (iH) 大小。當(dāng)從地端流回的電流 (iH) 大于0.5mA (Typ.) 時，則會立即切斷輸出。

脈沖測試原理

『脈沖測試』是使用合適的測試電壓對繞線組件施加一個『非破壞性』、高速、低能量的脈沖電壓，藉由分析／比對待測物與樣品之等效波形的差異達(dá)到判定待測物為良品或不良品。對繞線組件施加脈沖測試主要是為了找出繞線組件的潛在缺陷，例如: 層間短路、電暈放電等，也可利用待測物自體的雜散電容與電感所產(chǎn)生諧振波形的振蕩衰減狀態(tài)來判定產(chǎn)品質(zhì)量，此震蕩衰減的狀態(tài)表現(xiàn)了待測物的線圈在工作時的能量損耗狀態(tài)。在開關(guān)導(dǎo)通 (ON) 時，脈沖電壓會施加在待測物上，利用施加在待測物上的測試電壓檢測待測物圈與圈之間的絕緣距離是否足夠；在開關(guān)截止 (OFF) 時，待測物會與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對待測物的質(zhì)量進(jìn)行檢測。

面積比較 (Area)

當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，脈沖電壓會施加在待測物上，待測物會與測試回路上的電容產(chǎn)生諧振，利用電壓的峰值對待測物圈與圈之間的絕緣距離進(jìn)行檢測。當(dāng)待測物圈與圈之間的絕緣距離不足以承受脈沖測試的電壓時，圈與圈之間就會發(fā)生放電，導(dǎo)致諧振波形的總面積變小。當(dāng)開關(guān)截止時，待測物會與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對待測物的質(zhì)量進(jìn)行檢測。自體諧振波形的衰減狀態(tài)會受到待測物質(zhì)量的影響，當(dāng)待測物的質(zhì)量越差時，自體諧振波形衰減的速度越快，則待測物諧振波形的總面積就會小于樣品諧振波形的總面積。因此，面積比較可以用來檢測出絕緣距離不足或質(zhì)量不良的產(chǎn)品。

面積差比較 (Differential Area)

當(dāng)脈沖電壓施加在待測物上時，待測物會與回路上的電容產(chǎn)生諧振。如果待測物的感量與樣品不同，待測物的諧振頻率也會與樣品的諧振頻率不同。因此，待測物的諧振波形與樣品的諧振波形就會有不重迭的面積產(chǎn)生。面積差比較會計算出待測物諧振波形與樣品諧振波形之間不重迭的面積總和，并與樣品諧振波形的總面積做比較以百分比顯示。建議搭配面積比較 (Area) 一起使用，可用于篩出感量與樣品有明顯差異的待測物。

顫動量偵測 (Flutter)

當(dāng)脈沖電壓施加在待測物上時，圈與圈之間的絕緣距離不足但尚未到達(dá)絕緣崩潰的程度，就會發(fā)生小的電氣放電(如:電暈放電)。因為這個小的電氣放電釋放的能量比絕緣崩潰小，所以對諧振波形的總面積沒有造成太多的影響。因此，使用面積比較來偵測發(fā)生小的電氣放電是困難的。顫動量偵測會計算諧振波形垂直 (上下) 的總變化量，并比較待測物與樣品之間的差異。當(dāng)發(fā)生小的電氣放電時，因為諧振波形上發(fā)生顫動，所以波形垂直的總變化量會增加。因此，可利用諧振波形垂直的總變化量的增加來偵測是否有發(fā)生小的電氣放電。

二次微分 (Laplacian)

當(dāng)發(fā)生小的電氣放電(如: 電暈放電)時，因為諧振波形上發(fā)生顫動，所以使原本應(yīng)該平滑的諧振波形變得不平滑。因此，諧振波形會有劇烈的斜率變化。二次微分偵測利用二次微分的計算找出諧振波形最大的斜率變化。所以，可使用二次微分偵測出因小的電氣放電造成諧振波形發(fā)生劇烈的斜率變化，并有效地將在脈沖測試的過程中發(fā)生小的電氣放電的不良品篩檢出來。

波峰差比 (?Peak%)

波峰比(Peak Ratio)與待測物的能量損耗表現(xiàn)有互相關(guān)聯(lián)的關(guān)系，而待測物的能量損耗表現(xiàn)則與待測物的質(zhì)量／Q值也有互相關(guān)聯(lián)的關(guān)系。波峰比會自動找出諧振波形的第三個及第五個電壓峰值，并計算出諧振波形的第五個電壓峰值除以第三個電壓峰值后的百分比，減少設(shè)定上的復(fù)雜度讓使用者更容易使用。待測物的品質(zhì)／Q值越差時，待測物諧振波形的衰減速度也會越快，波峰比就會越小。

當(dāng)待測物的質(zhì)量比樣品差或待測物的諧振波形的衰減速度比樣品快時，待測物的波峰比就會比樣品的波峰比低。因波峰差比(ΔPeak%)將待測物諧振波形的波峰比與樣品諧振波形的波峰比相減對待測物與樣品進(jìn)行波峰比的差異比較，所以波峰差比會得到負(fù)數(shù)的結(jié)果。波峰差比可有效地將比樣品能量損耗表現(xiàn)較差的待測物篩選出來。

諧振面積比 (?Resonant Area)

當(dāng)開關(guān)截止時，待測物會與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對待測物的質(zhì)量進(jìn)行檢測。自體諧振波形的衰減狀態(tài)會受到待測物質(zhì)量的影響，當(dāng)待測物的質(zhì)量越差時，自體諧振波形衰減的速度越快，則待測物諧振波形的總面積就會小于樣品諧振波形的總面積。諧振面積比與面積比較非常相似，其差別在于諧振面積比只比較在開關(guān)截止后待測物諧振波形與樣品諧振波形的總面積差異。因此，諧振面積比可以比面積比較更靈敏的篩檢出質(zhì)量較差的產(chǎn)品。

頻率差比 (?fr%)

當(dāng)開關(guān)截止時，待測物會與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用待測物與樣品諧振頻率的差異可對待測物的感量或雜散容量進(jìn)行檢測。因為諧振頻率與感量或雜散容量成反比，所以當(dāng)諧振頻率越高表示感量或雜散容量越小。換句話說，諧振波形的頻率越低表示感量或雜散容量越大。頻率差比是利用待測物自體的諧振頻率與感量或雜散容量的互相關(guān)系來對待測物與樣品進(jìn)行感量或雜散容量差異的比較，頻率差比會計算出待測物與樣品諧振波形的頻率差異百分比。這就是為什么頻率差比可以被用來檢測待測物與樣品的感量或雜散容量差異。

脈沖測試比較 (IWT Compare)

當(dāng)三相馬達(dá)定子的三個繞組差異過大時，可能會導(dǎo)致馬達(dá)轉(zhuǎn)子發(fā)生旋轉(zhuǎn)不平衡的現(xiàn)象。脈沖測試比較可將不同繞組/相位的線圈進(jìn)行脈沖測試的交叉比對，并篩選出繞組/相位之間互相差異過大的產(chǎn)品。

崩潰電壓分析模式 (IWT BDV Mode)

崩潰電壓分析可測試出繞線組件最高可承受的耐壓極限，產(chǎn)品研究開發(fā)人員可利用崩潰電壓分析模式對產(chǎn)品進(jìn)行分析與研究，并對產(chǎn)品較弱的地方進(jìn)行改善。崩潰電壓分析模式是將測試電壓從起始電壓 (Vstart) 依步序 (Vstep) 的百分比逐步上升至結(jié)束電壓 (Vend)。在測試電壓上升的過程中，會將每一步測試電壓的諧振波形與前一步測試電壓的諧振波形做比較。當(dāng)面積比較 (Area)、二次微分 (Laplacian) 的值超過設(shè)定的上下限，表示待測物的圈與圈之間已經(jīng)發(fā)生絕緣異常的現(xiàn)象，則前一次的測試電壓會被判定為待測物的最高耐壓，也就是它的崩潰電壓。

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訂購信息：

19036 : 繞線組件電氣安規(guī)掃描分析儀

A131002 : 4端BNC對4端BNC測試線

A165015 : 溫度測棒PT100

A190359 : 16HV 高壓掃瞄治具

A190360 : 19036 19"機(jī)框耳架

A190361 : 19036 數(shù)據(jù)收集軟件

A190362 : 16HV 四線式高壓掃瞄治具

A190363 : 雙十字高壓香蕉頭+測試夾

A190364 : 雙十字高壓香蕉頭+截平頭 (1.5M)

A190365 : 雙十字高壓香蕉頭+截平頭 (3M)