目錄:北京鴻瑞正達科技有限公司>>薄膜材料生長成套設備>> 快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV
產(chǎn)品簡介： 快速升溫 CVD 系統(tǒng) RTP-1000-F3LV 是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達
3″ ）的退火而設計， 配有 3 路流量計和機械泵。本機采用 9KW 的紅外燈進行加熱， 升溫速度可達
100℃/s ，配有 RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
產(chǎn)品型號 | 快速升溫 CVD 系統(tǒng) RTP-1000-F3LV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔 1000m 以下， 溫度 25℃±15℃ ，濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 |
1、水：不需要 | |
2、電： AC220V 50Hz，必須有良好接地 | |
3、氣：設備腔室內(nèi)需充注氣體，需自備氣瓶氣源 | |
4、工作臺： 尺寸 600mm×600mm×700mm ，承重 50kg 以上 5、通風裝置：需要 | |
主要特點 | 1 、雙層 Al2O3 纖維鋼構(gòu)，無需水冷或風冷。 |
2、內(nèi)爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層，可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。 | |
3 、PID 控制器 ，可以設置 30 段升降溫程序，并設有過熱保護和斷偶功能。 | |
4 、已通過 CE 認證。 | |
技術(shù)參數(shù) | 1 、電源： 單相 208V-240V AC 50Hz/60Hz 9KW |
2、石英管： 外徑 ?110mm ，內(nèi)徑 ?103mm ，長 380mm | |
3、加熱元件：紅外燈管， 直徑 ?10mm ，長 300mm | |
4、加熱區(qū)： 300mm |
5 、工作溫度： 溫度 1100℃ | |
6 、控溫精度：±0.5℃ | |
7、升溫速度： RT-800℃時為 50℃/s ，800℃-1000℃時為 10℃/s | |
8、溫控儀：可控硅（ SCR）PID 自動控制 | |
9 、真空法蘭： 不銹鋼，帶有水冷接口和針閥，雙層高溫 O 型圈密封，長時間在>900℃條件下 運行必須采用水冷， 循環(huán)水流量為 0.5m3/hr | |
10、真空度： 10-3torr | |
11、流量計： 3 個， 量程 40cc/min-400cc/min ，精度 4%FS | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸： 爐體 760mm×330mm×530mm ，真空混氣系統(tǒng) 600mm×600mm×597mm |
重量： 爐體 45kg ，真空混氣系統(tǒng) 30kg | |
可選配件 | 防腐型數(shù)字式真空顯示計 |
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