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          VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
          • VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀
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          更新時(shí)間:2024-06-18 21:00:07

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介:VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開(kāi)發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介: VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開(kāi)發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單 層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、  硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀配備有兩個(gè)靶槍,一個(gè)弱磁靶用于非導(dǎo)電材 料的濺射鍍膜,一個(gè)強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn), 且可使用的材料范圍廣,是一款實(shí)驗(yàn)室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。


          產(chǎn)品型號(hào)

          VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀

          產(chǎn)品型號(hào)

          VTC-600-2HD

          安裝條件

          本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。


          1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水)


          2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地


          3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度 99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶 ?6mm 雙卡套


          接頭)及減壓閥


          4、工作臺(tái): 尺寸 1500mm×600mm×700mm ,承重 200kg 以上


          5、通風(fēng)裝置:需要

          主要特點(diǎn)

          1 、配置兩個(gè)靶槍,一個(gè)配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,一個(gè)配套直流電源用于導(dǎo) 電性材料的濺射鍍膜。


          2、可制備多種薄膜,應(yīng)用廣泛。


          3、體積小,操作簡(jiǎn)便。




          技術(shù)參數(shù)

          1、電源電壓: 220V    50Hz


          2、功率: <2KW  (不含真空泵)


          3、極限真空度: 9.0×10-4Pa


          4、樣品臺(tái)加熱溫度: RT-500℃,精度±1℃(可根據(jù)實(shí)際需要提升溫度)


          5、靶槍數(shù)量: 2 個(gè)(可選配其他數(shù)量)


          6、靶槍冷卻方式:水冷


          7、靶材尺寸: ?2″, 厚度 0.1-5mm  (因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同)


          8 、直流濺射功率: 500W;射頻濺射功率: 300W。(靶電源種類可選,可選擇兩個(gè)直流電源, 也可選擇兩個(gè)射頻電源,或選則一個(gè)直流一個(gè)射頻電源)


          9、載樣臺(tái): ?140mm


          10、載樣臺(tái)轉(zhuǎn)速: 1rpm-20rpm 內(nèi)可調(diào)


          11、工作氣體: Ar 等惰性氣體


          12、進(jìn)氣氣路: 質(zhì)量流量計(jì)控制 2 路進(jìn)氣,一路為 100SCCM ,另一路為 200SCCM

          產(chǎn)品規(guī)格

          1 、主機(jī)尺寸: 500mm ×560mm×660mm


          2 、整機(jī)尺寸: 1300mm ×660mm×1200mm


          3、重量: 160kg


          4、真空室規(guī)格:φ 300×300mm

          標(biāo)準(zhǔn)配件

          1

          直流電源控制系統(tǒng)

          1 

          2

          射頻電源控制系統(tǒng)

          1 

          3

          膜厚監(jiān)測(cè)儀系統(tǒng)

          1 

          4

          分子泵(德國(guó)進(jìn)口)

          1 臺(tái)

          5

          冷水機(jī)

          1 臺(tái)

          6

          冷卻水管(?6mm

          4 




          可選配件

          金、銦、銀、白金等各種靶材



          直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射




          濺射條件: 工作氣壓 10pa 左右, 濺射電壓 3000V ,靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1img2m/min。



          工作原理: 先讓惰性氣體(通常為 Ar 氣) 產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子; 帶電離子緊電場(chǎng)加速撞擊靶 材表面, 使靶材原子被轟擊而飛出來(lái), 同時(shí)產(chǎn)生二次電子, 再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子; 靶材原子攜帶著足夠的動(dòng)能到達(dá)被鍍物(襯底) 的表面進(jìn)行沉積。隨著氣壓的變化, 濺射法薄膜沉積速率 將出現(xiàn)一個(gè)極大值, 但氣壓很低的條件下, 電子的自由程較長(zhǎng), 電子在陰極上消失的幾率較大, 通過(guò)碰撞 過(guò)程引起氣體分子電離的幾率較低, 離子在陽(yáng)極上濺射的同時(shí)發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相 對(duì)較小, 這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率很低。 在壓力 1Pa 時(shí)甚至不易維持自持放電! 隨著氣壓的升 高,電子的平均自由程減小,原子的電離幾率增加,濺射電流增加,濺射速率增加。

          適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬, Au,Ag,Pt




          射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技 術(shù)。

          工作條件: 射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進(jìn)行, 濺射電壓 1000V ,靶電流密度 1.0 mA/cm2,薄膜沉積 速率 0.5img3m/min

          工作原理: 人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替,當(dāng)濺射靶處于正半周時(shí), 電子流向靶面, 中和其表面積累的正電荷, 并且積累電子, 使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓, 導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半 周期時(shí)吸引正離子轟擊靶材, 從而實(shí)現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大, 遷移率小, 不像電子那樣很快地向 靶表面集中, 所以靶表面的點(diǎn)位上升緩慢, 由于在靶上會(huì)形成負(fù)偏壓, 所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體 靶。在射頻濺射裝置中, 等離子體中的電子容易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩, 因此, 電子與工作

          氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大,故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。

          優(yōu)點(diǎn): 1、可在低氣壓下進(jìn)行,濺射速率高。


          2、不僅可濺射金屬靶,也可濺射絕緣靶,可以把導(dǎo)體,半導(dǎo)體,絕緣體中的任意材料薄膜化。


          3、必須十分注意接地問(wèn)題。


          適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣


          層的靶材. Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.

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