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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> Plasma Etching Cluster 多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)
l 方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)
l 系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)
l 系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔的開腔破真空
l 系統(tǒng)包括:
一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手。
六個(gè)端口分別連接:
(1)一個(gè)ICP-RIE 刻蝕腔模塊:專用于刻蝕鈮酸鋰
(2)一個(gè)ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于刻蝕介質(zhì)、光刻膠去等
(3)一個(gè) RIE 刻蝕腔模塊:配氯基氣體,主要用于刻蝕金屬等
(4)一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊:用于單片樣品的手動(dòng)送樣
(5)一個(gè)真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動(dòng)送樣
(6)一個(gè)端口備用,未來(lái)可升級(jí)增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊
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