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當前位置：> 供求商機> 有掩膜光刻機
v 手動、半自動、全自動有掩膜光刻機
v 高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米
v 基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸
v 經(jīng)過特殊設計，方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦
v 設備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外納米壓印光刻
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