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v 應(yīng)用領(lǐng)域:Pillar,Bump,RDL,TSV等工藝
v 晶圓尺寸:150mm~300mm
v 設(shè)備配置:
? 最多3個(gè)loadport
? 最多24個(gè)電鍍腔體:Cu、Ni、Sn/Ag、Au
? 最多4個(gè)預(yù)濕腔體,4個(gè)清洗腔體
? 水平式電鍍腔體,無(wú)交叉污染
? 支持模塊化維護(hù),提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間
? 橡膠密封技術(shù),更佳密封性能
? 陰陽(yáng)極分離技術(shù),更佳鍍液穩(wěn)定性
v 工藝指標(biāo):
v 高度均勻性:WiW≤5% WtW≤5% RtR≤5%
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