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          賽默飛色譜及質(zhì)譜

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          賦能創(chuàng)“芯” | 電子氣體中離子態(tài)雜質(zhì)檢測(cè)的先進(jìn)技術(shù)探討

          閱讀:581      發(fā)布時(shí)間:2023-6-21
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          電子氣體

          電子氣體廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的諸多環(huán)節(jié),包括清洗、離子注入、刻蝕、氣相沉積、摻雜等工藝,因此被稱為芯片制造的血液。集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,為電子氣體國產(chǎn)化發(fā)展帶來了機(jī)遇,同時(shí)國產(chǎn)化也面臨著分離純化、分析檢測(cè)等多方面的挑戰(zhàn)。賽默飛憑借其離子色譜的技術(shù)優(yōu)勢(shì),與電子氣體各細(xì)分領(lǐng)域客戶通力合作,開發(fā)了多種電子氣體中無機(jī)陰離子和銨根雜質(zhì)檢測(cè)的全面解決方案。


           

          電子氣體國產(chǎn)化所面臨的挑戰(zhàn)

           

          電子氣體是晶圓制造的第二大耗材,在集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié),使用的電子氣體有近百種這些高純氣體從生產(chǎn)到分離純化,以及運(yùn)輸供應(yīng)階段都存在較高的技術(shù)壁壘,特別是在氣體純化方面,涉及的高性能催化材料、過濾吸附等設(shè)備都需要大量研發(fā)投入。

          電子氣體用途多、用量大,電子氣體中的雜質(zhì)含量直接影響最終芯片的良率和可靠性,賽默飛離子色譜系統(tǒng)可為電子氣體中超痕量陰離子和銨根的測(cè)定提供同時(shí)測(cè)定方案,整個(gè)系統(tǒng)只加水"不需要引入任何外接試劑,完全避免引入人工操作帶來的污染和試劑中雜質(zhì)的干擾,獲得極低的系統(tǒng)背景和噪音;且對(duì)于復(fù)雜的氣體吸收樣品,賽默飛提供了中和、排斥、在線固相萃取、濃縮等多種譜睿技術(shù),幫助客戶實(shí)現(xiàn)復(fù)雜樣品的在線基質(zhì)消除,具有靈敏、抗干擾、穩(wěn)定、高效、便捷的特點(diǎn)。


          離子色譜檢測(cè)高純氣體吸收液樣品流程示意圖

          (點(diǎn)擊查看大圖)

           

          電子級(jí)二氧化碳中痕量

          陰離子和銨根的檢測(cè)方案

           

          半導(dǎo)體工業(yè)中,高純電子級(jí)二氧化碳主要用于清洗技術(shù)和沉浸式光刻技術(shù),二氧化碳的超臨界特性在加工過程中對(duì)芯片的損壞降至最低,有著廣泛的前景。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI )在2018C55-1104中,對(duì)二氧化碳產(chǎn)品的純度要求要達(dá)到 99.999% 以上,發(fā)展至今,相關(guān)企業(yè)對(duì)二氧化碳產(chǎn)品的純度要求已達(dá)到 9N級(jí),對(duì)陰離子雜質(zhì)和銨根的限度要求達(dá)到 ppb ~ppt級(jí)。

          在樣品測(cè)定時(shí),電子級(jí)二氧化碳通過流量泵通入超純水中,調(diào)節(jié)吸收時(shí)間和吸收體積,測(cè)定最終吸收液中的陰離子和銨根含量。常見的吸收方法有離線吸收、半自動(dòng)吸收和全自動(dòng)在線吸收。


          陰離子分離譜圖(點(diǎn)擊查看大圖)


          銨根分離譜圖(點(diǎn)擊查看大圖)


          各種離子的定量限(點(diǎn)擊查看大圖)

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          賽默飛 ICS-6000 通過大體積上樣和譜睿技術(shù)去除二氧化碳基質(zhì),并對(duì)樣品進(jìn)行濃縮,再進(jìn)入離子色譜進(jìn)行分析檢測(cè)。在所示色譜條件下各種離子的定量限可達(dá)到0.2ppb,該方法加標(biāo)測(cè)試滿足要求,準(zhǔn)確度較高,連續(xù)運(yùn)行結(jié)果穩(wěn)定,可用于電子級(jí) CO2 吸收液中雜質(zhì)銨根離子和陰離子的分析。該方案同樣適用于非反應(yīng)型惰性氣體,也可以應(yīng)用于高純氣體凈化材料和設(shè)備的性能考察。

           

          三氟化氮中可水解氟化物

          的檢測(cè)方案

           

          高純?nèi)?span>NF3)具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表面不留任何殘留物,同時(shí)是非常良好的清洗劑,主要用于等離子體刻蝕和化學(xué)氣相沉積(CVD)的清洗。隨著集成電路制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小,高純?nèi)男枨罂焖僭鲩L,氣體中雜質(zhì)的檢測(cè)也備受關(guān)注。

          SEMI組織在2018C3.39-1011中,對(duì)三氟化氮的純度要求要達(dá)到 99.98% 以上,對(duì)氟離子的限量要求為小于0.1ppm,用的是氟離子選擇性電極測(cè)定方法。該方法操作繁瑣,影響因素多,且重復(fù)性不佳。在GB/T21287-2021電子特氣三氟化氮中 氣體純度要求達(dá)到5N級(jí),氟離子的限量要求0.5ppm,已采用離子色譜法測(cè)定氟離子的含量,分析效率大大提高。

            //  

          在電子工業(yè)迅猛發(fā)展的推動(dòng)下,國內(nèi)三氟化氮的生產(chǎn)制造水平已與國外發(fā)達(dá)國家水平相當(dāng),目前相關(guān)企業(yè)對(duì)氟離子的限量要求達(dá)到ppb級(jí)。賽默飛Aquion RFIC離子色譜系統(tǒng),通過大體積進(jìn)樣和特有的色譜分離技術(shù),可避免基質(zhì)影響滿足三氟化氮中痕量氟離子限量檢測(cè)要求,該方法分析時(shí)間短,無需手配淋洗液和再生液,操作便捷,系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。

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          Aquion RFIC


            三氟化氮吸收樣品譜圖(點(diǎn)擊查看大圖)

           

          GB/T21287電子特氣 三氟化氮中采用了多瓶串聯(lián)的吸收方式,這種方法也是經(jīng)典的吸收裝置,第一瓶作為吸收瓶,判斷吸收是否充分,第二瓶可作為吸收瓶,同時(shí)也作為空白瓶提供背景值。通過這種方式既可以判斷吸收效率,調(diào)節(jié)氣體流速,還可以提供時(shí)時(shí)背景,獲得更準(zhǔn)確的測(cè)定結(jié)果。


          三氟化氮吸收裝置圖(點(diǎn)擊查看大圖)

           

           

          電子氣體的吸收率是值得關(guān)注的問題,特別是反應(yīng)型氣體如SiF4 、BF3等,除吸收率外,還要關(guān)注反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響。賽默飛期待與更多客戶通力合作,探討更多電子氣體的吸收與基質(zhì)消除技術(shù),共同開發(fā)更多電子氣體中痕量雜質(zhì)的檢測(cè)方法。

           

          賽默飛半導(dǎo)體材料全面解決方案

           

           

          除了電子氣體的分析方案外,賽默飛開發(fā)了針對(duì)半導(dǎo)體材料包括硅片、光刻膠及輔材、濕電子化學(xué)品、靶材的全面解決方案,包括獨(dú)家Orbitrap技術(shù)對(duì)于未知物解析、不同批次樣品的差異分析,以及高純金屬、靶材直接進(jìn)樣分析的GDMS技術(shù)等,盡在《賽默飛半導(dǎo)體材料檢測(cè)應(yīng)用文集》,長按識(shí)別下方二維碼即可下載或點(diǎn)擊閱讀原文進(jìn)入半導(dǎo)體解決方案專題頁面獲取更多解決方案!

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