光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)及分類
光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
分辨率(resolution):是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的zui小尺寸。一般用關(guān)鍵尺寸來(lái)(CD,Critical Dimension)衡量分辨率。
對(duì)比度(Contrast):指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。
敏感度(Sensitivity):光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的zui小能量值(或zui小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米mJ/cm2。
粘滯性/黏度 (Viscosity):衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。光刻膠中的溶劑揮發(fā)會(huì)使粘滯性增加。
粘附性(Adherence):是指光刻膠與晶圓之間的粘著強(qiáng)度。
抗蝕性(Anti-etching):光刻膠黏膜必須保持它的粘附性,并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護(hù)襯體表面,這種性質(zhì)被稱為抗蝕性。
表面張力(Surface Tension):液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間的吸引力。
光刻膠的分類
1.根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類
正膠(Positive Photo Resist):曝光前對(duì)顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。
負(fù)膠(Negative Photo Resist):反之。
正膠 | 優(yōu)點(diǎn) | 分辨率高、對(duì)比度好 |
缺點(diǎn) | 粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本 | |
靈敏度 | 曝光區(qū)域光刻膠*溶解時(shí)所需的能量 | |
負(fù)膠 | 優(yōu)點(diǎn) | 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快 |
缺點(diǎn) | 顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹,導(dǎo)致其分辨率 | |
靈敏度 | 保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量 |
2. 根據(jù)光刻膠能形成圖形的zui小光刻尺寸來(lái)分:
傳統(tǒng)光刻膠(正膠和負(fù)膠)
適用于紫外光(UV),I線365nm、H線405nm和G線436nm,關(guān)鍵尺寸在0.35um及其以上。
化學(xué)放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)
適用于深紫外光(DUV),KrF 準(zhǔn)分子激光248nm和 ArF準(zhǔn)分子激光193nm。
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