TP8000型“高溫氫還原-火焰光度氣相色譜儀”簡介
(測定三氯氫硅中痕量磷儀器)
一、 前言
半導體硅材料中磷含量的高低,直接影響器件的電性能。隨著硅材料研究及生產的不斷提高,對于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度、速度、準確度提出更高要求。
三氯氫硅中雜質磷的分析,傳統(tǒng)的方法為將雜質磷轉變成磷鉬雜多酸,再還原成磷鉬藍進行比色測定。在此基礎上后來有改進,諸如經苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬,或利用化學光譜法測出鉬量進而間接換算出磷含量;加大取樣量等。雖然在靈敏度上有一定提高,但都要經過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程。為要形成穩(wěn)定的絡合物來分離基本和消除雜質干擾,化學分離手續(xù)相當繁雜,分析時間長,而且,測定靈敏度也不能滿足生產上的要求。
為了提高三氯氫硅中雜質磷分析靈敏度和速度,國內外相關科研人員做了大量工作。例如,有專家采用氣相色譜法測定了三氯氫硅中以PCL3與POCL3形式存在的磷含量。然而,三氯氫硅中雜質磷還可能以其他形式存在(例如,PCL5、PSCL3),因此,欲采用氣相色譜法測定總磷含量,首先要保證樣品中以各種形式存在的磷都能從分離柱中流出,這無疑是一項很艱巨的工作,至今尚未見到報道。又例如,有專家采用“ICP—MS”法測定三氯氫硅中痕量雜質磷,測試方法雖然簡捷,遺憾的是,測定靈敏度下限僅為0.3PPb,不能滿足多晶硅生產工藝對三氯氫硅中雜質磷的分析要求(工藝要求三氯氫硅中雜質磷含量應小于0.1PPb)。
二、 測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。
針對上述現(xiàn)狀,我公司專家級工程師經過多年在硅行業(yè)的豐富經驗,與大量的切合實戰(zhàn)分析,研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。進幾年已在國內硅行業(yè)多個生產廠家得到應用,反應*,與價格昂貴的“ICP-MS”法比較有廉價實用,快速測定,痕量(≤0.06PPb)分析,耗材低等特性。對于快速反應指導三氯氫硅生產工藝,更加提純硅產品,為社會提供更的單晶硅產品,是我司特別推出此套分析儀器的宗旨,也是您可信賴的合作伙伴。
TP8000分析儀總磷測定
三氯氫硅———————————→多晶硅————→單晶硅產品
三、 儀器的特點和指標
1、 所測三氯氫硅中雜質磷含量為總磷含量;
2、 三氯氫硅中雜質磷含量測定下限為0.06PPb;
3、 測定手續(xù)簡便只需用注射針筒向儀器注入三氯氫硅即可;
4、 測定周期短,自注入三氯氫硅到測出磷化氫峰高(或面積)需時20分鐘;
5、 儀器結構簡潔、直觀,便于使用和維修。
儀器選購及售后服務
在你購買儀器前協(xié)助你全面了解儀器的性能、特點,儀器選型的全面咨詢服務。在您購買儀器后,我們可派專業(yè)技術人員前往您的單位進行儀器的安裝、啟動、調試。定期舉辦培訓班,長期供應儀器的易損、易耗件。依國家行業(yè)標準,儀器實行三包,保質期十二個月,終身維修,自接到用戶詢問后,24小時內答復,若需到現(xiàn)場,48小時內到位,做好售后服務。
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