微波射頻在片測(cè)量是指使用探針直接測(cè)量晶圓（Wafer）或裸芯片（Chip）的微波射頻參數(shù)。相比于常規(guī)的鍵合/封裝后的測(cè)量，微波射頻在片測(cè)量消除了封裝及鍵合絲引入的寄生參數(shù)，可以更準(zhǔn)確的反應(yīng)被測(cè)芯片的射頻特性。微波射頻在片測(cè)量廣泛應(yīng)用于器件建模、芯片檢驗(yàn)等領(lǐng)域。

隨著5G、汽車?yán)走_(dá)等技術(shù)的發(fā)展，在片測(cè)試也進(jìn)入了亞毫米波/太赫茲頻段，對(duì)在片測(cè)試技術(shù)提出了更高的挑戰(zhàn)。

在片測(cè)量系統(tǒng)：

微波射頻在片測(cè)量系統(tǒng)一般由射頻/微波測(cè)量?jī)x器和探針臺(tái)及附件組成。 

微波射頻在片測(cè)量系統(tǒng)中，探針臺(tái)和探針用于芯片測(cè)量端口與射頻測(cè)量?jī)x器端口（同軸或波導(dǎo)）之間的適配；微波射頻測(cè)量?jī)x器完成各項(xiàng)所需的射頻測(cè)量。

射頻探針：

射頻探針的本質(zhì)為適配器，將芯片測(cè)量接口轉(zhuǎn)為同軸或波導(dǎo)端口。常見的射頻探針有GSG型、GS型、GSSG型等。射頻探針的主要參數(shù)有高工作頻率、探針針尖距（Pitch）等。

目前，同軸接口的射頻探針頻率可達(dá)110 GHz，波導(dǎo)接口的射頻探針頻率高達(dá)1.1 THz，有一些型號(hào)的探針可以選配BiasTee。

校準(zhǔn)

微波射頻在片測(cè)試的校準(zhǔn)主要是指S參數(shù)校準(zhǔn)，可以通過使用校準(zhǔn)片完成校準(zhǔn)。一般的校準(zhǔn)片提供開路（Open）、短路（Short）、匹配（Match）、直通（Through）和直線（Line）標(biāo)準(zhǔn)件，可完成TOSM校準(zhǔn)或TRL校準(zhǔn)。

可以利用廠家提供的標(biāo)準(zhǔn)件參數(shù)，一般廠家提供的校準(zhǔn)件參數(shù)包括開路電容、短路電感、負(fù)載阻抗及寄生電感、直通/延遲線電長(zhǎng)度等，根據(jù)這些數(shù)據(jù)，可以在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中編輯校準(zhǔn)件，完成校準(zhǔn)。

需要注意的是，不同廠家的探針和校準(zhǔn)片一般不能混用。

典型的在片測(cè)試：

• THz矢量網(wǎng)絡(luò)測(cè)試（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及擴(kuò)頻單元）：

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THz多端口矢量網(wǎng)絡(luò)測(cè)試（R&S®ZVT/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及擴(kuò)頻單元）：

頻譜/矢量信號(hào)分析（R&S®FSW信號(hào)與頻譜分析儀及R&S®SMW矢量信號(hào)源）：

在片負(fù)載牽引測(cè)試（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等）

有源/無源器件建模（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等）：