一、光刻機是掩模對準曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù),把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
二、分類:
手動:指的是對準的調(diào)節(jié)方式,是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;
半自動:指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧;
自動:指的是從基板的上載下載,曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。
三、技術(shù)指標:
(1)支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。
(2)分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
(3)對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
(4)曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
(5)曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準分子激光器等。
四、光刻機種類:
(1)接觸式曝光:掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當,設(shè)備簡單。接觸式,根據(jù)施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。
(2)接近式曝光:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm??梢杂行П苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(可提高10倍以上),圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛。
(3)投影式曝光:在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。
相關(guān)產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權(quán)等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。