1、ALD在太陽能電池領(lǐng)域的應(yīng)用
應(yīng)用于光伏太陽能電池的材料可分為硅基材料(單晶,多晶,非晶),CdTe, CuInGaSe和CuInGaS。太陽能電池類型可以分為4大類:a、硅基太陽能電池(單晶,多晶);b、第二代薄膜太陽能電池(a-Si,CeTe,CIGS);c、第三代太陽能電池包含量子點太陽能電池,聚合物太陽能電池,染料敏化太陽能電池以及聚光型太陽能電池;d、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)太陽能電池。ALD 鍍層可以作為表面鈍化層,緩沖池,窗戶層,吸收層,電子/空穴接觸或者透明導(dǎo)電氧化物。
2、ALD在硅太陽能電池中的應(yīng)用
ALD基材料在c-Si太陽能電池中的應(yīng)用始于Al2O3,Al2O3是一種非常有效的表面鈍化層,被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽能電池的效率并應(yīng)用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中,ALD的應(yīng)用研究從表面鈍化層擴展到載流子傳輸材料。
3、ALD在薄膜及有機、鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用
ALD在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用主要是由對納米層沉積和界面改性的要求驅(qū)動的,按功能層可將其分為吸收層,緩沖層,界面鈍化層和透明導(dǎo)電氧化物層等。金屬氧化物在有機、鈣鈦礦及硅/鈣鈦礦疊層等高效電池的制備中也有廣泛的應(yīng)用。無論是作為電子/空穴傳輸層、復(fù)合層還是封裝層,ALD一直扮演著至關(guān)重要的角色。
4、ALD在量子點太陽能電池中的應(yīng)用
在量子點太陽能電池中,ALD沉積常用于量子點的表面修飾及吸收層制備,對于制造高效的量子點太陽能電池至關(guān)重要。ALD還可以用于制備n型/p型透明導(dǎo)電電極,其生長的2D材料可以輕松集成到太陽能電池中,并有助于制造出更高效,輕便的太陽能面板。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。