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霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：
1、激勵電流I。
2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量B。
3、器件材料（決定靈明度系數K）。
4、霍爾電勢的方向還與半導體是P型還是N型有關，兩者方向相反。
設霍爾電勢為EH
則：EH=KIB
注：B為與電流垂直的磁感應強度分量。
當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應使用左手定則判斷。
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