產(chǎn)品關(guān)鍵詞：載流子遷移率、電子遷移率、空穴遷移率、渡越時間、飛行時間、TOF、載流子壽命、遷移率壽命積、瞬態(tài)光電流、水平載流子、橫向TOF、橫向載流子、二維載流子成像mapping

FlyTOF飛行時間法遷移率測量儀是東譜科技HiTran瞬態(tài)綜合光電特性測量平臺中的重要成員。該系統(tǒng)利用飛行時間法（time-of-flight，TOF）測量半導體材料的遷移率以及相關(guān)的光電特性，廣泛適用于各類半導體材料，如硅基半導體、第二代半導體、第三代寬帶隙半導體、有機半導體、鈣鈦礦半導體、量子點半導體、二維材料半導體、金屬-有機框架（MOF）、共價有機框架（COF）等。FlyTOF基于我司的MagicBox主機研制而成，配備便捷的上位機控制和數(shù)據(jù)測量軟件，可助力客戶進行快速、準確的測量。FlyTOF是東譜科技源頭研發(fā)產(chǎn)品，是業(yè)內(nèi)新款自動化、集成化的飛行時間法遷移率測試商業(yè)化設(shè)備。

遷移特性是半導體基礎(chǔ)的性質(zhì)之一，是半導體在電子學和光電子學等領(lǐng)域進行應(yīng)用的基礎(chǔ)。半導體的遷移率定義為單位電場下載流子的平均漂移速度。TOF遷移率測試方法直接由遷移率的定義發(fā)展而來。 相比于一些間接的遷移率測試方法，如空間電荷限制電流（SCLC）法等，TOF的方法被認為是接近“真實”遷移率的一種測量方法。通過TOF瞬態(tài)光電流信號的分析，可以得到電子遷移率、空穴遷移率等參數(shù)；用戶還可以利用這些數(shù)據(jù)，結(jié)合材料的物理模型進行分析，得到雜質(zhì)濃度、缺陷、能帶混亂度、電荷跳躍距離等參數(shù)。

作為TOF遷移率測試方法商業(yè)化應(yīng)用的先行，東譜科技已攜手客戶廣泛探索了FlyTOF在有機半導體、硅基半導體、鈣鈦礦半導體、二維材料、共價有機框架等領(lǐng)域的應(yīng)用。東譜期待與您共同開拓FlyTOF更多的應(yīng)用領(lǐng)域。

FlyTOF性能優(yōu)異，具有載流子遷移率測量值覆蓋10^-9~10^6 cm^2/(V.s)；專業(yè)的信號調(diào)教，電磁兼容噪聲小； 行業(yè)優(yōu)秀的TOF測試功能；軟件自動控制，測試快速便捷；快速換樣裝置，惰性氣體氛圍測試；可實現(xiàn)寬溫度范圍的變溫測試（選配）；可通過可視化系統(tǒng)看到光斑照射情況；可靈活耦合各種類型的激發(fā)光源等特點。

可進行飛行時間法瞬態(tài)光電流測量、半導體材料電子遷移率測量、半導體材料空穴遷移率測量、載流子濃度測量、載流子壽命測量、可選變溫測量、可選Lateral-TOF測試功能及附件、可選配TOF二維掃描（mapping）功能及附件；渡越時間。

TranPVC廣泛應(yīng)用于有機半導體、量子點半導體、元素半導體（Si、Ge等）、金屬-有機框架（MOF）、二維材料、寬帶隙第三代半導體、鈣鈦礦材料、化合物半導體（InGaAs等）、共價有機框（COF）、共價有機框（COF）以及其它半導體材料。