在半導(dǎo)體干法刻蝕中，主要有兩種設(shè)備:電容耦合等離子體(Capacitively Coupled Plasma、CCP)刻蝕、電感耦合等離子體(Inductively CoupledPlasma，lCP)刻蝕。這兩種設(shè)備是半導(dǎo)體制造過程中不缺少的部分，它們各自具有不一樣的工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。

上海微蕓半導(dǎo)體科技有限公司生產(chǎn)的電容耦合等離子體干法刻蝕機(jī)（CCP）和電感耦合等離子體干法刻蝕機(jī)（ICP）是針對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)與生產(chǎn)線各種關(guān)鍵應(yīng)用的大規(guī)模量產(chǎn)型設(shè)備，其性能亦可在各大高校及科研機(jī)構(gòu)展示其科研屬性。

CCP設(shè)備8英寸向下兼容，廣泛滿足各類刻蝕需求，憑借刻蝕均勻性和高速刻蝕能力，確保了工藝結(jié)果的高效與精準(zhǔn)。此外，在刻蝕形貌與工藝性能上表現(xiàn)非凡，高選擇比結(jié)合高速刻蝕特性，有效提升了生產(chǎn)效率。系統(tǒng)靈活性強(qiáng)，能夠根據(jù)客戶需求，靈活選擇并配置氣體種類，滿足個(gè)性化生產(chǎn)與研究需求。

ICP設(shè)備8英寸向下兼容，適用于各種刻蝕需求，具備優(yōu)異的刻蝕均勻性和快速刻蝕速率，確保了高效、精確的刻蝕工藝結(jié)果。同時(shí)，高選擇比和高各向異性使刻蝕過程更為精準(zhǔn)，減少損傷。專業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定、重復(fù)性、均勻性佳。此外，高斷面輪廓可控性保證了刻蝕表面的平整光滑。該系統(tǒng)可以根據(jù)客戶要求選擇氣體種類進(jìn)行配置。

電容耦合等離子體（CCP）刻蝕

電容耦合等離子體（CCP）刻蝕?主要依賴于電容耦合原理來產(chǎn)生等離子體，這種等離子體源適用于各種半導(dǎo)體材料的刻蝕，包括但不限于硅、金屬等。CCP刻蝕設(shè)備通常由多個(gè)真空等離子體反應(yīng)腔和主機(jī)傳遞系統(tǒng)構(gòu)成，是一種大型真空的全自動(dòng)加工設(shè)備。它的應(yīng)用范圍廣泛，包括但不限于薄膜生長(zhǎng)、光刻、清洗、離子注入等半導(dǎo)體制造工藝?。

電感耦合等離子體（ICP）刻蝕?

電感耦合等離子體（ICP）刻蝕?則采用電感耦合原理來產(chǎn)生高密度的等離子體，適用于更精細(xì)的線路和結(jié)構(gòu)的刻蝕。ICP刻蝕設(shè)備能夠提供更高的各向異性刻蝕，這對(duì)于提高集成電路的性能至關(guān)重要。

主要用在fab哪些工藝中？

CCP：

主要用于介質(zhì)刻蝕，適用于刻蝕鍵能比較大的物質(zhì)及需要高深寬比的深孔結(jié)構(gòu)。其應(yīng)用的工藝環(huán)節(jié)有：

Oxide（氧化物）刻蝕：在半導(dǎo)體制造中，氧化物層（如SiO?）的刻蝕是常見的步驟，CCP由于其特定的物理和化學(xué)機(jī)制，非常適合用于氧化物的精確刻蝕。

Nitride（氮化物）刻蝕：氮化物層（如Si?N?）也常作為半導(dǎo)體器件的組成部分，CCP同樣適用于氮化物的刻蝕工藝。

Contact（接觸孔）刻蝕：在多層金屬布線結(jié)構(gòu)中，需要形成接觸孔以連接不同層的金屬線。CCP技術(shù)因其高精度和低損傷特性，常被用于接觸孔的刻蝕。

ICP：

適用于較廣泛的應(yīng)用，包括金屬、多晶硅以及部分介質(zhì)的刻蝕。具有刻蝕速率快、選擇比高、各向異性好等優(yōu)點(diǎn)。其應(yīng)用的工藝環(huán)節(jié)有：

Si（硅）刻蝕：在半導(dǎo)體制造過程中，硅基片的刻蝕是基本且重要的步驟。ICP技術(shù)能夠有效地刻蝕硅材料，形成所需的圖形結(jié)構(gòu)。

Poly（多晶硅）刻蝕：多晶硅常用于半導(dǎo)體器件的柵極等結(jié)構(gòu)，ICP技術(shù)能夠精確地刻蝕多晶硅，滿足器件制造的高精度要求。

Metal（金屬）刻蝕：在金屬布線層的制作過程中，需要刻蝕金屬以形成特定的電路圖案。ICP技術(shù)因其高效的刻蝕能力和良好的選擇比，非常適合用于金屬層的刻蝕。

有哪些特點(diǎn)？

CCP：

1）低功率低密度等離子體：CCP技術(shù)利用靜電場(chǎng)和交流電場(chǎng)的作用產(chǎn)生等離子體，通過電容耦合將交流電場(chǎng)傳遞到氣體中，從而激發(fā)等離子體進(jìn)行刻蝕。這種方法產(chǎn)生的等離子體密度相對(duì)較低，適用于介質(zhì)材料的刻蝕。

2）高精度：CCP刻蝕系統(tǒng)能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體，并且等離子體的能量分布均勻，有利于實(shí)現(xiàn)高精度的刻蝕過程。在刻蝕過程中，離子的轟擊方向性較好，主要是垂直于待刻蝕表面的方向移動(dòng)，這有助于減少側(cè)向刻蝕，提高刻蝕的深寬比。

3）均勻性好：由于電容耦合的特點(diǎn)，CCP刻蝕能夠在較低的氣壓下產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體，從而實(shí)現(xiàn)均勻的刻蝕效果。這對(duì)于大面積、復(fù)雜圖形的器件加工尤為重要。

4）廣泛應(yīng)用：CCP刻蝕技術(shù)廣泛用于芯片制造、微電機(jī)系統(tǒng)（MEMS）、光電子器件以及納米材料研究等領(lǐng)域。它能夠以很高的精度和對(duì)材料的最小損傷來刻蝕晶圓材料，是微納加工中的重要工藝之一。

ICP：

1）高功率高密度等離子體：ICP技術(shù)通過隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)電磁感應(yīng)產(chǎn)生電流作為能量來源，激發(fā)氣體放電產(chǎn)生高密度等離子體。這種等離子體具有更高的能量和密度，能夠快速刻蝕導(dǎo)電材料。

2）刻蝕速率快：ICP刻蝕過程中，高密度的等離子體在RF射頻作用下對(duì)wafer表面發(fā)生物理和化學(xué)反應(yīng)，使得刻蝕速率較快。這對(duì)于提高生產(chǎn)效率、縮短加工周期具有重要意義。

3）選擇比高、損傷小：ICP刻蝕技術(shù)具有較高的選擇比和較低的損傷特性。它能夠在精確去除目標(biāo)材料的同時(shí)，盡量減少對(duì)周圍材料的損傷，保護(hù)器件的原有性能。

4）應(yīng)用靈活：ICP刻蝕技術(shù)適用于多種材料的刻蝕，包括Si、poly、metal等STI、gate和導(dǎo)線等etch環(huán)節(jié)。它可以根據(jù)不同的工藝需求選擇合適的刻蝕氣體和反應(yīng)條件，實(shí)現(xiàn)靈活的加工過程。