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          化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>其它半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備>少子壽命測試儀>KDKLT-200  數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀（鑄造多晶）KDKLT... 
          
  
          
  
          
  
    
          
	
  
      
          
        
          
          
        
          
        
          
          
		              
			
          
					
					
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          KDKLT-200  數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀（鑄造多晶）KDKLT-200
          
			
          
			
			
							
				
          
													
          
							    							
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          中慧天誠是一家集儀器表供應(yīng)，技術(shù)服務(wù)，售后為一體的儀器儀表供應(yīng)商。

          
	  		
          
  		
          
		
  		
          
  		
          
  			
          
  			
          
  				
          雜質(zhì)度過濾機(jī)，工業(yè)鍋爐水位報警裝置，直讀式礦漿濃度計(jì)，粉體綜合特性測試儀
          
  			
          
  		
          
  		
          
		
		
  	
          
  	
          
  		
	    
          
      		
          
			        
          
	    	        	    	   	 
          
			
          
    					
    
                      
                      數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀（鑄造多晶） 
                      型號：KDKLT-200          		            貨號：ZH8204        
                  
                      產(chǎn)品簡介:
                      100C型200型的的zui大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍，加了個紅外地光照破除陷進(jìn)效應(yīng)
                      τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太陽能硅片壽命，配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器，
                      本設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟的測試方法，適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣簡便。
                      產(chǎn)品特點(diǎn)：
                      可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。
                      可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面拋光、鈍化。
                      液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。
                      配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。
                      為消除陷進(jìn)效應(yīng)增加了紅外低光照。
                      測量范圍寬廣
                      測試儀可直接測量：
                       a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
                       b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
                      范    圍：0.5μs~6000μs
                      電 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
                      測試速度：1分鐘/片
                      紅外光源波長： 0.904～0.905μm
                      高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
                      前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ
                      可測單晶尺寸：斷面豎測：
                      直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
                      縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm
                      測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
                      測試分辨率：數(shù)字存儲示波器zui小分辨率0.01μs 
                      設(shè)備重量：20 Kg 
                      儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護(hù)措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。
                                 		            
                      
                                 		        
              
          
	    
          
		    
    
  	
          
  
          
  
          
    	
    
    
  
          

          

          
        		
          
		
  
  
          
		
		
	
          




	
	
              
          
	
		
		
          
			
          
			
          
				
          
				
					
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