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          KDKLT-100C 數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀(測(cè)單晶) KDKLT-100C

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          雜質(zhì)度過(guò)濾機(jī),工業(yè)鍋爐水位報(bào)警裝置,直讀式礦漿濃度計(jì),粉體綜合特性測(cè)試儀

          數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀(測(cè)單晶)
          型號(hào):KDKLT-100C
          貨號(hào):ZH8201
          產(chǎn)簡(jiǎn):
          τ:1~6000μs   ρ>0.1Ω·cm太陽(yáng)能硅片壽命 配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器
          為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。
          該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過(guò)數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟的測(cè)試方法,適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡(jiǎn)便。
          產(chǎn)品特點(diǎn):
          1.可測(cè)量太陽(yáng)能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命。
          2.可測(cè)量太陽(yáng)能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面拋光、鈍化。
          3.配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
          4.配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源:
              a.紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
              b.短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能硅晶體。
          5.測(cè)量范圍寬廣測(cè)試儀可直接測(cè)量:
              a.研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
              b.拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
          壽命可測(cè)范圍:0.25μS—10ms
           


           



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