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          KDKLT-1 高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀(學(xué)校用) 型號(hào):KDKLT-1 中慧

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          中慧天誠是一家集儀器表供應(yīng),技術(shù)服務(wù),售后為一體的儀器儀表供應(yīng)商。

          靜摩擦系數(shù)測試儀,浮游生物培養(yǎng)器,數(shù)字測滑儀

          高頻光電導(dǎo)壽命測試儀/高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀(學(xué)校用) 
          型號(hào):KDKLT-1
          貨號(hào):ZH8202
          產(chǎn)品簡介:
          τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,除需要有一個(gè)測量平面外,對樣塊體形嚴(yán)格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)的重要檢測項(xiàng)目。
          設(shè)備組成
          1.光脈沖發(fā)生裝置:
          重復(fù)頻率>25次/s
          脈    寬>60μs
          光脈沖關(guān)斷時(shí)間<1μs
          紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)
          脈沖電流:5A~20A
          如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
          2.高頻源:
          頻    率:30MHz低輸出阻抗
          輸出功率>1W
          放大器和檢波器:
          頻率響應(yīng):2Hz~2MHz
          3.配用示波器:
          配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
          測量范圍:
          可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
          壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)


          化工儀器網(wǎng)

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