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FSM薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備和厚度測(cè)量設(shè)備

 用于測(cè)量薄膜應(yīng)力，基地翹曲，襯底翹曲，膜層厚度測(cè)量

產(chǎn)品名稱：FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備

產(chǎn)品型號(hào)：FSM 128， 500TC, 900TC

1. 簡(jiǎn)單介紹

FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備:美國(guó)Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來(lái)為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備，客戶遍布*, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

2.產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備

在襯底鍍上不同的薄膜后, 因?yàn)閮烧卟馁|(zhì)不一樣，以及不同的材料不同溫度下特性不一樣, 所以會(huì)引起應(yīng)力。 如應(yīng)力太大會(huì)引起薄膜脫落, zui終引致組件失效或可靠性不佳的問(wèn)題。 薄膜應(yīng)力激光測(cè)量?jī)x利用激光測(cè)量樣本的形貌,透過(guò)比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計(jì)算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有效手段。

1. 快速、非接觸式測(cè)量
2. 128型號(hào)適用于3至8寸晶圓

128L型號(hào)適用于12寸晶圓

128G 型號(hào)適用于470 X 370mm樣品，

另可按要求訂做不同尺寸的樣品臺(tái) 

1. 雙激光自動(dòng)轉(zhuǎn)換技術(shù)

如某一波長(zhǎng)激光在樣本反射度不足，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)使用

另一波長(zhǎng)激光進(jìn)行掃瞄，滿足不同材料的應(yīng)用

1. 全自動(dòng)平臺(tái)，可以進(jìn)行2D及3D掃瞄（可選)
2. 可加入更多功能滿足研發(fā)的需求

電介質(zhì)厚度測(cè)量

光致發(fā)光激振光譜分析

（III-V族的缺陷研究）

1. 500 及 900°C高溫型號(hào)可選
2. 樣品上有圖案亦適用

3.規(guī)格:

1. 測(cè)量方式: 非接觸式(激光掃瞄)
2. 樣本尺寸: 

FSM 128NT: 75 mm to 200 mm

FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

FSM 128G: zui大550×650 mm

1. 掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)
2. 激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動(dòng)調(diào)節(jié)
3. 激光波長(zhǎng):  650nm及780nm自動(dòng)切換(其它波長(zhǎng)可選)
4. 薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 4 GPa

(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

1. 重復(fù)性: 1% (1 sigma)*
2. 準(zhǔn)確度: ≤ 2.5%

使用20米半徑球面鏡

1. 設(shè)備尺寸及重量:

FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs

FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs

FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs

電源 : 110V/220V, 20A

FSM413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！

產(chǎn)品名稱：FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

產(chǎn)品型號(hào)：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C

1、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

1. 紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量
2. 適用于所有可讓紅外線通過(guò)的材料

硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…

2、應(yīng)用薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備和厚度測(cè)量設(shè)備：

    襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

    平整度

    厚度變化 (TTV)

    溝槽深度

    過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

    粗糙度

    薄膜厚度

    環(huán)氧樹脂厚度

    襯底翹曲度

    晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

    MEMS 薄膜測(cè)量

    TSV 深度、側(cè)壁角度…

1. 規(guī)格:

1. 測(cè)量方式: 紅外干涉(非接觸式)
2. 樣本尺寸:  50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸
3. 測(cè)量厚度: 15 — 780 μm (單探頭)

          3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)

1. 掃瞄方式: 半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),

         另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

1. 襯底厚度測(cè)量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。
2. 粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)
3. 重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

       0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

1. 分辨率: 10 nm
2. 設(shè)備尺寸:

413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

1. 重量: 500 lbs
2. 電源 : 110V/220VAC     
3. 真空: 100 mm Hg
4. 樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)