FE-5000 橢偏儀
- 公司名稱 大塚電子（蘇州）有限公司
- 品牌 OTSUKA/日本大冢
- 型號 FE-5000
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2020/6/11 16:30:28
- 訪問次數(shù) 1411
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zeta電位?粒徑?分子量測量系統(tǒng)，晶圓在線測厚系統(tǒng)，線掃描膜厚儀，顯微分光膜厚儀，線掃描膜厚儀，分光干涉式晶圓膜厚儀，相位差膜?光學(xué)材料檢測設(shè)備，非接觸光學(xué)膜厚儀，小角激光散射儀，多檢體納米粒徑量測系統(tǒng)，量子效率測量系統(tǒng)
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子,印刷包裝,電氣 |
橢偏儀 FE-5000
在高精度薄膜分析的光譜橢偏儀之上，增加安裝了測量角度可自動變化裝置,可對應(yīng)所有種類的薄膜。在傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)分析儀法之上，通過安裝相位差板自動分離裝置，提高了測量精度。
產(chǎn)品信息
- 可分析納米級多層薄膜的厚度
- 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
- 通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜
- 通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性
- 通過層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測量項目
測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）
光學(xué)常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
- 薄膜厚度分析
用途
半導(dǎo)體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學(xué)常數(shù)（波長色散）復(fù)合半導(dǎo)體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜光學(xué)薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜光刻領(lǐng)域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
| 型號 | FE-5000S | FE-5000 |
|---|---|---|
| 測量樣品 | 反射測量樣品 | |
| 樣品尺寸 | 100x100毫米 | 200x200毫米 |
| 測量方法 | 旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1 | |
| 測量膜厚范圍（ND） | 0.1納米- | |
| 入射（反射）的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
| 入射（反射）的角度驅(qū)動方式 | 自動標(biāo)志桿驅(qū)動方法 | |
| 入射點直徑*2 | 關(guān)于φ2.0 | 關(guān)于φ1.2sup*3 |
| tanψ測量精度 | ±0.01以下 | |
| cosΔ測量精度 | ±0.01以下 | |
| 薄膜厚度的可重復(fù)性 | 0.01％以下*4 | |
| 測定波長范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
| 光譜檢測器 | 多色儀（PDA，CCD） | |
| 測量用光源 | 高穩(wěn)定性氙燈*6 | |
| 平臺驅(qū)動方式 | 手動 | 手動/自動 |
| 裝載機兼容 | 不可 | 可 |
| 尺寸，重量 | 650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7 |
| 軟件 | ||
| 分析 | 小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等） 理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時分析） | |
*1可以驅(qū)動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸•角度。
*3對應(yīng)微小點（可選）
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。
測量示例
以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時，氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過擬合小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設(shè)nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。
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