QSense Omni 耗散型石英晶體微天平
- 公司名稱 瑞典百歐林科技有限公司
- 品牌 Biolin/瑞典百歐林
- 型號
- 產地
- 廠商性質 其他
- 更新時間 2023/9/7 13:15:56
- 訪問次數(shù) 189
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!
價格區(qū)間 | 10萬-20萬 | 儀器種類 | 進口 |
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應用領域 | 化工 |
QSense® Omni 耗散型石英晶體微天平
QCM-D技術的開發(fā)
瑞典百歐林科技有限公司與查爾姆斯理工大學是QCM-D技術的開發(fā),QSense®為納米級表界面相互作用跟蹤和表征提供耗散型石英晶體微天平。QSense® 耗散型石英晶體微天平通量高、易于使用,可以為您提供可重復的和有深度的數(shù)據(jù)。這有助于您了解反應的基本原理過程、提前預測真實結果以及優(yōu)化產品和流程,以適應真實的反應條件。擁有一臺QSense耗散型石英晶體微天平,可以使您和您的團隊一直處于科學進步和技術創(chuàng)新。
QSense® Omni是我們新一代QCM-D耗散型石英晶體微天平,現(xiàn)有的技術加上幾十年對表界面相互作用的深度理解,QSense® Omni可以為您提供更清晰的結果和更順暢的實驗過程。QSense® Omni可以更快展示您獨到的見解,并基于高度可控的測量結果做出更可靠的結論。
QSense® Omni 適用場景:
您需要簡單易用
• 開箱即用的解決方案
• 開啟工作所需的一切皆已包含
您需要靈活性
• 自由構建滿足您現(xiàn)在和將來需求的系統(tǒng)
您需要自動化
• 減少操作時間
• 提高可重復性
您重視數(shù)據(jù)質量
• 從全新一代QCM-D儀器中獲取值得信任的結果
QSense® Omni 技術特點:
• 自動樣品切換
• 自動運行QC程序
• 直接注入液體
• 快速液體交換
• 芯片自動鎖緊
• 集成樣品加熱艙
• 各通道流速獨立調節(jié)
• 實時編輯程序
三個選用QSense® Omni的原因:
數(shù)據(jù)解析更容易
信號處理和快速可重復的液體交換,QSense® Omni為您提供清晰、簡潔的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)解析和分析更為輕松自信。
實驗過程更順暢
得益于直觀的設計、智能的工作流程和靈巧的自動化,成功進行QCM-D實驗并獲取可信和可重復的結果變得輕松簡單。生產力大幅提高,工作更有效率。
與研究共同成長
功能智能,QSense® Omni為科學進步和未來創(chuàng)新量身定制。升級到更多通道或增加QSense Orbit來構建更多元化的實驗設置和補充測量,您可以輕松跨越入門級門檻,讓QSense® Omni與您的研究共同成長。
QSense芯片——多種芯片表面可選:
QSense芯片是QCM-D測量的核心。芯片涂層的選擇對于您的實驗至關重要。百歐林科技可提供超過我們提供50種標準芯片涂層和200多種定制芯片,涵蓋各種材料,包括金屬、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂層和標準化土壤。您可以從種類繁多的芯片中找出哪種芯片材料和涂層。也可以根據(jù)您的需求讓百歐林為您量身定制,我們可以讓您盡可能接近真實的反應條件。
百歐林科技開發(fā)和生產的芯片,經過嚴格的驗證。QSense芯片將為您的QSense系統(tǒng)提供穩(wěn)定、可靠和可重復的數(shù)據(jù)。芯片建議一次性使用。
QSoft Omni 軟件:
一同領略 QSoft Omni 軟件的風采吧!一個全新的、用戶友好的軟件,旨在幫助您完成實驗設置并成功獲得實驗數(shù)據(jù)。當您在準備實驗時,QSoft Omni 軟件會在后臺進行QC程序,確保測量條件可靠。QSoft Omni幫您采集數(shù)據(jù),而Dfind使您的數(shù)據(jù)分析更輕松。
圖片 2:QSoft Omni 軟件
QSoft Omni 軟件主要特點:
• 引導式工作流程帶領您完成實驗設置
• 后臺自動運行QC程序,確保實驗結果準確
• 拖放界面和實時編輯使程序開發(fā)變得更為輕松
• 事件日志自動記錄自動操作和用戶注釋
QSense® Omni模塊及配件——探索更多:
瀏覽以下可選配模塊,擴展您的實驗設置和可能性。
QSense濕度模塊
用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。
QSense窗口模塊
該系統(tǒng)可以在芯片表面上同時進行QCM-D測量和顯微鏡觀察。您還可以進行對光或輻射敏感的實驗。
QSense 電化學模塊
想在同一表面上同時進行QCM-D和電化學測量?該模塊支持多種電化學方法,如循環(huán)伏安法和電化學阻抗測量,可探索如聚合物的界面行為、靜電相互作用、腐蝕性能等。
QSense電化學窗口模塊
該模塊可在芯片表面上同時進行QCM-D測量和光學、電化學測試,該模塊通常用于光伏等應用。
QSense開放模塊
開放模塊無需管路,樣品需求量低。您可以直接移液少量液體確保覆蓋芯片即可。該模塊可進行樣品揮發(fā)性、外部觸發(fā)反應(如光誘導反應和化學觸發(fā)反應)等研究。
QSense濕度模塊
用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。
QSense ALD(原子層沉積)樣品架
適用于真空或氣相環(huán)境測量。
QSense PTFE流動模塊
適用于對鈦材料敏感的測量體系。類似于標準流動模塊(QFM 401),但流路部分的鈦被PTFE替換。
QSense® Omni技術參數(shù):
讓我們深入了解下QSense Omni的技術性能,您還可以將這些參數(shù)與其他QSense儀器進行比較。
測量范圍和能力 | ||||
通道數(shù) | 1 - 4 | |||
工作溫度 | 4 到 70 °C | |||
芯片基頻 | 5 MHz | |||
頻率范圍 | 1-72 MHz | |||
倍頻數(shù)量 | 7, 均可用于粘彈性建模 | |||
樣品和流速 | ||||
芯片上方體積 | ~ 20 μl | |||
最小樣品體積(流動模式) | ~ 90 μl | |||
流速范圍 | 1-200 µl/min | |||
測量特性 | ||||
時間分辨率 | 每秒300個數(shù)據(jù)點 (每個數(shù)據(jù)點一個f 值和D值 ) | |||
最小噪音a | 頻率: 0.005 Hz 耗散因子: 1?10-9 | 溫度:0.0005 ?C 質量: 0.08 ng/cm2 | ||
不同模式下的性能請參閱樣本第7頁 | ||||
長期穩(wěn)定性 b C | 頻率:< 0.25 Hz/ 耗散因子: < 0.04.10-6 /h | 溫度: < 0.003 ?C/h | ||
Software軟件 | QSoft Omni | Dfind分析軟件 | ||
數(shù)據(jù)輸出 | 7個倍頻下的頻率和耗散因子 | 厚度(或質量)、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的頻率依賴性、動力學、斜率、上升時間等 | ||
電腦配置 | USB 2.0或更高版本Type C接口 Intel i5處理器(或同等處理器) 內存不小于8GB 屏幕分辨率不小于1920 x 1080 | 64位處理器 屏幕分辨率不小于1366×768 內存不小于4 GB | ||
操作系統(tǒng) | Windows 10或更新版本(Windows早期版本可能無法正常運行) | |||
數(shù)據(jù)輸入/輸出 | SQLite | pdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw | ||
電源 | ||||
儀器輸入 | 24 V DC, 10 A | |||
外部電源輸入 | 100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A | |||
尺寸和重量 | 高(cm) | 寬(cm) | 深(cm) | 重量(kg) d |
單通道 | 32 | 22 | 36 | 14 |
雙通道 | 32 | 29 | 36 | 22 |
三通道 | 32 | 36 | 36 | 29 |
四通道 | 32 | 43 | 36 | 37 |
所有規(guī)格可能會在未經通知的情況下更改
b. 溫度穩(wěn)定性取決于外部環(huán)境對樣品艙的加熱或者制冷。如果由于氣流或熱源等原因,室溫變化超過±1℃,可能無法達到目標的溫度穩(wěn)定性。
c. 數(shù)據(jù)測試條件如下:QSX 303 SiO2芯片在25℃的去離子水中測量,流速為20µl/min,數(shù)據(jù)采集速率為每秒1個數(shù)據(jù)點,測量時長1小時。用于分析的數(shù)據(jù)間隔為2分鐘。等待超過1小時可以獲得更好的穩(wěn)定性。
d. 重量不包括外部電源。
QSense® Omni實際性能:
更高的采樣速率不可避免地會產生更高的噪音和提高檢出限。通過明顯降低噪音水平,QSense® Omni極大地降低了檢出限。下面的圖表描述了QSense® Omni在三種不同采樣間隔下的檢測限,可以看出在高采樣頻率下檢出限也可以做到非常低。下面的圖表列出了每種采集模式下的采集速度和檢出限(LOD)。
表1 a:性能特征
數(shù)據(jù)采集設置 | 采集7個倍頻數(shù)據(jù)需要的時間(s) | f/n-噪音 (Hz) | 檢測限(ng/cm2) | 耗散因子D噪音(?10-6) |
低噪音 | 9.68 | 0.005 | 0.239 | 0.001 |
正常 | 1.06 | 0.009 | 0.496 | 0.003 |
快速 | 0.09 | 0.029 | 1.513 | 0.011 |
圖2a:每種采集模式下的采集速度和檢出限(LOD)。不同的采樣間隔下的理論檢測限(LOD)。檢測限設定為頻率噪音水平的3倍。
a 實驗條件如下:QSX 303 SiO2芯片在20°C溫度下、流量15μL/min的去離子水中使用一個測量通道進行測量。每種測量模式測量5分鐘,根據(jù)1分鐘時間范圍內采集數(shù)據(jù)點的標準偏差,統(tǒng)計確定噪音數(shù)據(jù)。